| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 横向SJ研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 超结器件国内外发展现状 | 第12-18页 |
| 1.2.1 超结理论的提出 | 第12-13页 |
| 1.2.2 超结制造工艺 | 第13-14页 |
| 1.2.3 横向超结MOS结构国内外发展现状 | 第14-18页 |
| 1.3 论文内容及安排 | 第18-20页 |
| 第二章 衬底辅助耗尽效应与等效衬底模型 | 第20-28页 |
| 2.1 衬底辅助耗尽效应 | 第20-22页 |
| 2.2 等效衬底模型 | 第22-27页 |
| 2.2.1 等效衬底模型概念 | 第22-23页 |
| 2.2.2 等效衬底模型 | 第23-26页 |
| 2.2.3 衬底辅助耗尽效应实质 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SBP SJ LDMOS新结构的研究 | 第28-44页 |
| 3.1 SBP SJ LDMOS器件结构与机理 | 第28-30页 |
| 3.1.1 SBP SJ LDMOS器件结构 | 第28-29页 |
| 3.1.2 SBP SJ LDMOS结构耐压机理 | 第29-30页 |
| 3.2 SBP SJ LDMOS结构击穿电压与比导通电阻特性 | 第30-34页 |
| 3.3 SBP SJ LDMOS结构参数对器件特性的影响 | 第34-37页 |
| 3.4 SBP SJ LDMOS结构工艺制备方案设计 | 第37-42页 |
| 3.5 SBP SJ LDMOS器件版图的设计 | 第42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 SBOX SJ LDMOS结构设计与研究 | 第44-62页 |
| 4.1 SBOX SJ LDMOS器件结构与工作机理 | 第44-47页 |
| 4.1.1 SBOX SJ LDMOS器件结构特点 | 第44-45页 |
| 4.1.2 ENDIF 原理 | 第45-46页 |
| 4.1.3 SBOX SJ LDMOS结构耐压原理 | 第46-47页 |
| 4.2 SBOX SJ LDMOS结构耐压与比导通电阻特性 | 第47-52页 |
| 4.3 SBOX SJ LDMOS结构参数优化 | 第52-56页 |
| 4.4 SBOX SJ LDMOS结构工艺流程设计方案 | 第56-59页 |
| 4.5 SBOX SJ LDMOS结构版图设计 | 第59-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第70页 |
