| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 相变存储器 | 第10-12页 |
| 1.3 相变材料 | 第12-14页 |
| 1.4 纳米相变材料 | 第14-19页 |
| 1.5 本文选题意义及研究内容 | 第19-22页 |
| 2 材料制备方法和表征手段 | 第22-26页 |
| 2.1 多孔氧化铝模板 | 第22-24页 |
| 2.2 材料表征手段 | 第24-26页 |
| 3 碲化锗薄膜的制备和测试 | 第26-37页 |
| 3.1 含锗硫系化合物的沉积难点 | 第26-27页 |
| 3.2 碲化锗薄膜的电化学沉积 | 第27-30页 |
| 3.3 碲化锗薄膜的表征和测试 | 第30-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 碲化锗纳米线的制备及第一性原理分析 | 第37-48页 |
| 4.1 碲化锗纳米线的电化学沉积 | 第37-40页 |
| 4.2 碲化锗纳米线的测试和分析 | 第40-43页 |
| 4.3 碲化锗结构的第一性原理计算和分析 | 第43-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 总结与展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 附录1 (攻读学位期间发表学术成果目录) | 第57页 |