外磁场作用下GeTe/Sb2Te3超晶格相变存储单元器件特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 相变存储器 | 第8-12页 |
| 1.3 超晶格相变存储器及其磁场下的电特性 | 第12-15页 |
| 1.4 本课题的研究内容和意义 | 第15-16页 |
| 2 器件结构与制备工艺 | 第16-26页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 超晶格相变存储单元结构设计 | 第16-19页 |
| 2.3 工艺研究 | 第19-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 磁场下超晶格相变存储器电特性测试 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 超晶格相变存储单元的测试方法 | 第27-28页 |
| 3.3 不同膜层结构对阈值电压和阈值电流的影响 | 第28-34页 |
| 3.4 不同膜层结构对磁阻变化率的影响 | 第34-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 Comsol热分布仿真 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 仿真设计 | 第40-43页 |
| 4.3 不同膜层结构对存储单元热分布的影响 | 第43-48页 |
| 4.4 仿真结果与实验结果对比 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 5 总结与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
