摘要 | 第3-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
第一章 文献综述及课题选择 | 第14-30页 |
1.1 选题背景 | 第14-15页 |
1.2 烟气汞及二噁英污染综述 | 第15-19页 |
1.2.1 汞及二噁英的基本特性 | 第15-16页 |
1.2.2 污染来源 | 第16-17页 |
1.2.3 污染现状 | 第17-19页 |
1.3 国内外汞和二噁英的脱除技术 | 第19-22页 |
1.3.1 汞的脱除技术 | 第19-20页 |
1.3.2 二噁英的脱除技术 | 第20-21页 |
1.3.3 汞和二噁英的协同脱除技术 | 第21-22页 |
1.4 低温等离子体技术 | 第22-27页 |
1.4.1 低温等离子体技术基本介绍 | 第22-23页 |
1.4.2 低温等离子体技术去除汞和二噁英的研究进展 | 第23-27页 |
1.5 本课题研究意义与研究内容 | 第27-30页 |
1.5.1 研究目标 | 第27-28页 |
1.5.2 研究内容 | 第28页 |
1.5.3 研究技术路线 | 第28-29页 |
1.5.4 创新点 | 第29-30页 |
第二章 等离子体平台及分析监测系统的建立 | 第30-36页 |
2.1 等离子体平台搭建 | 第30-33页 |
2.2 分析监测系统的建立 | 第33-36页 |
2.2.1 系统运行与采样检测 | 第33-34页 |
2.2.2 评价指标 | 第34-36页 |
第三章 脉冲电晕低温等离子体去除Hg~0的研究 | 第36-52页 |
3.1 电源参数变化对脉冲电晕低温等离子体氧化Hg~0的影响 | 第36-41页 |
3.1.1 电压变化对Hg~0氧化效果的影响 | 第36-37页 |
3.1.2 频率变化对Hg~0氧化效果的影响 | 第37-38页 |
3.1.3 脉宽变化对Hg~0氧化效果的影响 | 第38-40页 |
3.1.4 上升沿变化对Hg~0氧化效果的影响 | 第40-41页 |
3.2 气氛条件变化对脉冲电晕低温等离子体氧化Hg~0的影响 | 第41-49页 |
3.2.1 O_2含量对Hg~0氧化效果的影响 | 第41-42页 |
3.2.2 H_2O(g)含量对Hg~0氧化效果的影响 | 第42-44页 |
3.2.3 NO气体组分对Hg~0氧化效果的影响 | 第44-46页 |
3.2.4 SO_2气体组分对Hg~0氧化效果的影响 | 第46-48页 |
3.2.5 HCl气体组分对Hg~0氧化效果的影响 | 第48-49页 |
3.3 小结 | 第49-52页 |
第四章 脉冲电晕低温等离子体去除TCB的研究 | 第52-64页 |
4.1 电源参数变化对脉冲电晕低温等离子体降解TCB的影响 | 第52-56页 |
4.1.1 电压变化对TCB降解效果的影响 | 第52-53页 |
4.1.2 频率变化对TCB降解效果的影响 | 第53-54页 |
4.1.3 脉宽变化对TCB降解效果的影响 | 第54-55页 |
4.1.4 上升沿变化对TCB降解效果的影响 | 第55-56页 |
4.2 脉冲电晕低温等离子体降解TCB的反应机理研究 | 第56-61页 |
4.2.1 产物分析 | 第56-59页 |
4.2.2 脉冲电晕低温等离子体降解TCB的反应机理推测 | 第59-61页 |
4.3 小结 | 第61-64页 |
第五章 脉冲电晕低温等离子体同时去除Hg~0和TCB的研究 | 第64-72页 |
5.1 “Hg~0+TCB”体系同时去除研究 | 第65-68页 |
5.1.1 电压变化对脉冲电晕低温等离子体同时去除Hg~0和TCB的影响 | 第65-66页 |
5.1.2 频率变化对脉冲电晕低温等离子体同时去除Hg~0和TCB的影响 | 第66页 |
5.1.3 脉宽变化对脉冲电晕低温等离子体同时去除Hg~0和TCB的影响 | 第66-67页 |
5.1.4 上升沿变化对脉冲电晕低温等离子体同时去除Hg~0和TCB的影响 | 第67-68页 |
5.2 产物及降解机制分析 | 第68-70页 |
5.2.1 同时去除时的产物分析 | 第68-69页 |
5.2.2 脉冲电晕低温等离子体同时去除Hg~0和TCB的反应机理推测 | 第69-70页 |
5.3 小结 | 第70-72页 |
第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
6.1 结论 | 第72-73页 |
6.2 展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-80页 |
致谢 | 第80-82页 |
攻读硕士期间发表的学术论文情况 | 第82页 |