硅基电光调制器的研制
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| 1.1 引言 | 第6页 |
| 1.2 硅基光电子学 | 第6-7页 |
| 1.3 硅基电光调制器 | 第7页 |
| 1.4 硅基电光调制的研究历史和现状 | 第7-8页 |
| 1.5 基于其他半导体材料的光调制器及特点 | 第8-10页 |
| 1.5.1 铌酸锂光调制器 | 第9页 |
| 1.5.2 Ⅲ-Ⅴ材料光调制器 | 第9页 |
| 1.5.3 硅-有机物材料混合集成光调制器 | 第9-10页 |
| 1.5.4 石墨烯光调制器 | 第10页 |
| 1.6 本文的工作内容和意义 | 第10-12页 |
| 第二章 硅基调制器的工作原理 | 第12-21页 |
| 2.1 硅基调制器的调制机理 | 第12-14页 |
| 2.1.1 电光效应 | 第12页 |
| 2.1.2 弗朗兹-凯尔迪什效应 | 第12-13页 |
| 2.1.3 热光效应 | 第13页 |
| 2.1.4 等离子色散效应 | 第13-14页 |
| 2.2 硅基电光调制器的电学结构 | 第14-17页 |
| 2.2.1 MOS电容结构 | 第14-15页 |
| 2.2.2 反向PN结结构 | 第15-16页 |
| 2.2.3 正向偏置的PIN结构 | 第16-17页 |
| 2.3 电光调制器的光学结构 | 第17-20页 |
| 2.3.1 马赫曾德尔干涉结构 | 第17-18页 |
| 2.3.2 微环谐振腔 | 第18-19页 |
| 2.3.3 F-P腔 | 第19-20页 |
| 2.4 本文所采用的调制器结构 | 第20-21页 |
| 第三章 硅基电光调制器的参数设计与工艺仿真 | 第21-26页 |
| 3.1 调制器的结构参数设计 | 第21-22页 |
| 3.2 硅基电光调制器的版图设计 | 第22-23页 |
| 3.3 电光调制器的掺杂参数设计 | 第23页 |
| 3.4 电光调制器的工艺仿真 | 第23-26页 |
| 第四章 硅基电光调制器的工艺研究 | 第26-42页 |
| 4.1 光刻 | 第26-28页 |
| 4.2 刻蚀 | 第28-33页 |
| 4.3 离子注入 | 第33-35页 |
| 4.4 薄膜生长 | 第35-36页 |
| 4.5 工艺整合 | 第36-42页 |
| 4.5.1 器件光学部分的刻蚀 | 第37-38页 |
| 4.5.2 器件电学部分的注入 | 第38页 |
| 4.5.3 有源器件的接触工艺 | 第38-42页 |
| 第五章 电光调制器的测试 | 第42-51页 |
| 5.1 损耗 | 第42-43页 |
| 5.2 电光调制器的带宽 | 第43-45页 |
| 5.3 偏压与光谱响应 | 第45-46页 |
| 5.4 电光调制器的眼图 | 第46-47页 |
| 5.5 电光调制研制工作中存在的问题和解决方案 | 第47-51页 |
| 5.5.1 注入BARC刻蚀过刻问题 | 第47-49页 |
| 5.5.2 相应的解决方案 | 第49-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
