摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4页 |
第1章 绪论 | 第8-14页 |
1.1 课题的研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.2 气敏传感器简介 | 第9-12页 |
1.2.1 气敏传感器的定义及分类 | 第9-11页 |
1.2.2 金属氧化物半导体气敏传感器 | 第11页 |
1.2.3 气敏传感器性能参数 | 第11-12页 |
1.3 本论文的研究目的和内容 | 第12-14页 |
第2章 二氧化钒相变性质及实验分析手段 | 第14-26页 |
2.1 二氧化钒相变性质及相变机理 | 第14-16页 |
2.1.1 二氧化钒相变晶体学特征 | 第14-15页 |
2.1.2 二氧化钒相变能带结构变化 | 第15页 |
2.1.3 二氧化钒薄膜相变机理 | 第15-16页 |
2.2 二氧化钒材料的应用 | 第16-17页 |
2.2.1 智能窗 | 第16页 |
2.2.2 光存储 | 第16-17页 |
2.2.3 光电开关 | 第17页 |
2.2.4 激光防护 | 第17页 |
2.3 实验设备的介绍 | 第17-22页 |
2.3.1 高温管式炉 | 第17-18页 |
2.3.2 小型离子溅射仪 | 第18-19页 |
2.3.3 快速热处理炉 | 第19-20页 |
2.3.4 磁控溅射镀膜机 | 第20-22页 |
2.4 测试分析手段 | 第22-26页 |
2.4.1 场发射扫描电子显微镜 | 第22页 |
2.4.2 场发射透射电子显微镜 | 第22-23页 |
2.4.3 X射线衍射仪 | 第23-24页 |
2.4.4 四探针测量仪 | 第24页 |
2.4.5 气敏测试系统 | 第24-26页 |
第3章 在不同基底上生长二氧化钒纳米线 | 第26-36页 |
3.1 实验方法 | 第26-29页 |
3.1.1 化学气相输运沉积法简介 | 第26页 |
3.1.2 化学气相输运沉积法生长二氧化钒纳米线原理 | 第26-29页 |
3.2 具体实验方案 | 第29页 |
3.2.1 硅片做基底生长二氧化钒纳米线 | 第29页 |
3.2.2 氧化铝基片做基底生长二氧化钒纳米线 | 第29页 |
3.2.3 未抛光的石英片做基底生长二氧化钒纳米线 | 第29页 |
3.3 不同基底上生长的氧化钒纳米线的形貌和结构 | 第29-33页 |
3.3.1 硅基底生长出的氧化钒纳米线形貌和结构 | 第30-31页 |
3.3.2 氧化铝基片基底生长出的氧化钒纳米线形貌和结构 | 第31-32页 |
3.3.3 未抛光的石英片基底生长出的氧化钒纳米线形貌和结构 | 第32-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-36页 |
第4章 不同沉积时间下生长二氧化钒纳米线 | 第36-44页 |
4.1 实验方案 | 第36页 |
4.2 沉积时间对二氧化钒纳米线形貌和结构的影响规律 | 第36-39页 |
4.2.1 表面形貌分析 | 第37-38页 |
4.2.2 氧化钒纳米线结晶取向分析 | 第38-39页 |
4.3 不同沉积时间生长的二氧化钒纳米线对二氧化氮气敏性能研究 | 第39-40页 |
4.4 二氧化钒纳米线对二氧化氮气敏机理 | 第40-41页 |
4.5 本章小结 | 第41-44页 |
第5章 金粒子沉积对二氧化钒纳米线气敏传感器的影响 | 第44-56页 |
5.1 实验方案 | 第44-45页 |
5.2 不同金沉积时间的二氧化钒纳米线的形貌和结构 | 第45-50页 |
5.2.1 扫描电子显微镜形貌分析 | 第45-47页 |
5.2.2 透射电子显微镜形貌分析 | 第47-48页 |
5.2.3 X射线衍射仪图谱 | 第48页 |
5.2.4 能谱仪(EDS)分析 | 第48-49页 |
5.2.5 四探针相变曲线分析 | 第49-50页 |
5.3 不同金沉积时间的二氧化钒纳米线对二氧化氮气敏性能研究 | 第50-53页 |
5.4 金沉积二氧化钒纳米线对二氧化氮气敏机理 | 第53-54页 |
5.5 本章小结 | 第54-56页 |
第6章 实验总结与展望 | 第56-60页 |
6.1 实验总结 | 第56-58页 |
6.2 工作展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-66页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第66-68页 |
致谢 | 第68页 |