| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-43页 |
| 1.1 过渡金属硫族化合物概述 | 第13-27页 |
| 1.1.1 过渡金属硫族化合物的结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 过渡金属硫族化合物的特性 | 第14-18页 |
| 1.1.3 过渡金属硫族化合物的表征 | 第18-20页 |
| 1.1.4 过渡金属硫族化合物的制备 | 第20-24页 |
| 1.1.5 过渡金属硫族化合物的应用 | 第24-27页 |
| 1.2 化学气相沉积法制备过渡金属硫族化合物 | 第27-37页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法制备过渡金属硫族化合物概述 | 第27-35页 |
| 1.2.1.1 前驱体 | 第28-30页 |
| 1.2.1.2 气氛控制 | 第30-32页 |
| 1.2.1.3 衬底处理 | 第32-35页 |
| 1.2.1.4 其他影响因素 | 第35页 |
| 1.2.2 过渡金属硫族化合物合金的制备、表征和应用 | 第35-37页 |
| 1.3 过渡金属硫族化合物晶体管 | 第37-41页 |
| 1.3.1 介电层的沉积 | 第38-40页 |
| 1.3.2 电极接触 | 第40-41页 |
| 1.4 课题的提出与意义 | 第41-43页 |
| 第二章 实验试剂、仪器及表征方法 | 第43-47页 |
| 2.1 实验试剂及设备 | 第43-44页 |
| 2.2 测试仪器及原理 | 第44-47页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第44页 |
| 2.2.2 显微拉曼光谱仪 | 第44-45页 |
| 2.2.3 电子显微镜 | 第45-46页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第46页 |
| 2.2.5 半导体参数测试仪 | 第46-47页 |
| 第三章 化学气相沉积法生长单层MoS_2及其机理研究 | 第47-67页 |
| 3.1 研究背景及目的 | 第47-48页 |
| 3.2 实验部分 | 第48-50页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第48页 |
| 3.2.2 单层MoS_2的合成 | 第48-49页 |
| 3.2.3 表征方法 | 第49-50页 |
| 3.2.4 场效应晶体管的制备与表征 | 第50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-64页 |
| 3.3.1 单层MoS_2生长参数的优化 | 第50-51页 |
| 3.3.2 单层MoS_2晶粒形状演变及其机理解释 | 第51-60页 |
| 3.3.3 大面积单层MoS_2薄膜的制备和表征 | 第60-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-67页 |
| 第四章 化学气相沉积法生长MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金及其表征 | 第67-83页 |
| 4.1 研究背景及目的 | 第67-68页 |
| 4.2 实验部分 | 第68-69页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第68页 |
| 4.2.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的合成 | 第68-69页 |
| 4.2.3 表征方法 | 第69页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第69-81页 |
| 4.3.1 MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金成分和形貌的调控 | 第69-76页 |
| 4.3.2 MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金成分的分布 | 第76-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 MoS_2作为钝化层的MoS_2/Ge晶体管 | 第83-91页 |
| 5.1 研究背景及目的 | 第83-84页 |
| 5.2 实验部分 | 第84-86页 |
| 5.2.1 实验试剂 | 第84页 |
| 5.2.2 MoS_2薄膜的制备和转移 | 第84页 |
| 5.2.3 Ge/MoS_2晶体管的制备 | 第84-85页 |
| 5.2.4 表征方法 | 第85-86页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第86-90页 |
| 5.3.1 Al_2O_3/MoS_2/Ge堆垛结构的构筑与表征 | 第86-89页 |
| 5.3.2 MoS_2/Ge晶体管的器件性能 | 第89-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 MoS_2沟道的场效应晶体管 | 第91-105页 |
| 6.1 研究背景及目的 | 第91页 |
| 6.2 实验部分 | 第91-93页 |
| 6.2.1 实验试剂 | 第91-92页 |
| 6.2.2 MoS_2薄膜的制备 | 第92页 |
| 6.2.3 MoS_2背栅场效应晶体管的制备 | 第92-93页 |
| 6.2.4 表征方法 | 第93页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第93-104页 |
| 6.3.1 MoS_2场效应晶体管的大规模制备及性能表征 | 第93-98页 |
| 6.3.2 MoS_2场效应晶体管的忆阻效应及其机理 | 第98-104页 |
| 6.4 本章小结 | 第104-105页 |
| 第七章 主要结论 | 第105-109页 |
| 参考文献 | 第109-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 作者简介 | 第133-135页 |
| 攻读博士学位期间科研成果 | 第135-136页 |
