| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 InP材料的优势 | 第11-12页 |
| 1.3 InPHEMT器件的国内外发展 | 第12-14页 |
| 1.3.1 InPHEMT器件的国外发展 | 第12-13页 |
| 1.3.2 InPHEMT器件的国内发展 | 第13-14页 |
| 1.4 InPHEMT模型研究的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.5 PDK的背景知识 | 第15-17页 |
| 1.6 PDK技术的发展与现状 | 第17页 |
| 1.7 研究目的与意义 | 第17页 |
| 1.8 论文框架 | 第17-18页 |
| 第2章 InPHEMT器件基本原理 | 第18-30页 |
| 2.1 HEMT工作原理 | 第18-20页 |
| 2.1.1 异质结 | 第18-19页 |
| 2.1.2 HEMT器件工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 HEMT的性能参数 | 第20-23页 |
| 2.2.1 I-V特性 | 第20-21页 |
| 2.2.2 跨导 | 第21-22页 |
| 2.2.3 频率特性 | 第22-23页 |
| 2.3 HEMT器件结构和工艺 | 第23-27页 |
| 2.3.1 HEMT器件的外延结构 | 第23-25页 |
| 2.3.2 HEMT器件的制作工艺 | 第25-27页 |
| 2.4 InPHEMT器件性能表征 | 第27-29页 |
| 2.4.1 InPHEMT器件的直流特性 | 第27-28页 |
| 2.4.2 InPHEMT器件的交流特性 | 第28-29页 |
| 2.5 小结 | 第29-30页 |
| 第3章 经典模型的HEMT器件大信号建模 | 第30-43页 |
| 3.1 Angelov模型 | 第31-37页 |
| 3.1.1 Angelov模型的沟道电流模型 | 第31-32页 |
| 3.1.2 Angelov模型的电容模型 | 第32-34页 |
| 3.1.3 Angelov模型参数提取及验证 | 第34-37页 |
| 3.2 EEHEMT模型 | 第37-40页 |
| 3.2.1 EEHEMT模型的沟道电流模型 | 第38-39页 |
| 3.2.2 EEHEMT模型的电荷模型 | 第39-40页 |
| 3.3 Curtice3模型 | 第40-41页 |
| 3.3.1 Curtice3模型的沟道电流模型 | 第40页 |
| 3.3.2 Curtice3模型的电容模型 | 第40-41页 |
| 3.4 三种模型的分析 | 第41-42页 |
| 3.5 小结 | 第42-43页 |
| 第4章 改进的InPHEMT器件大信号等效电路模型 | 第43-56页 |
| 4.1 改进的InPHEMT器件大信号等效电路模型 | 第44-48页 |
| 4.1.1 沟道电流模型 | 第44-45页 |
| 4.1.2 栅电荷模型 | 第45-46页 |
| 4.1.3 结二极管电流模型 | 第46-47页 |
| 4.1.4 自热效应 | 第47页 |
| 4.1.5 跨导频率分布效应 | 第47-48页 |
| 4.2 改进的大信号等效电路模型的实现和参数提取及验证 | 第48-55页 |
| 4.2.1 InPHEMT大信号等效电路模型的实现 | 第48-49页 |
| 4.2.2 InPHEMT大信号等效电路模型参数提取及验证 | 第49-55页 |
| 4.3 小结 | 第55-56页 |
| 第5章 InPHEMT器件小信号等效电路模型 | 第56-69页 |
| 5.1 InPHEMT器件小信号等效电路模型 | 第57-58页 |
| 5.2 InPHEMT小信号参数提取 | 第58-65页 |
| 5.2.1 寄生参数的提取 | 第58-63页 |
| 5.2.2 本征参数的提取 | 第63-65页 |
| 5.3 改进的InPHEMT器件小信号模型建立及优化 | 第65-68页 |
| 5.3.1 改进的InPHEMT器件小信号模型的参数提取 | 第65-67页 |
| 5.3.2 改进的InPHEMT器件小信号模型的验证 | 第67-68页 |
| 5.4 小结 | 第68-69页 |
| 第6章 基于ADS的PDK技术研究 | 第69-78页 |
| 6.1 PDK基础理论 | 第69-70页 |
| 6.1.1 PDK基础结构 | 第69-70页 |
| 6.1.2 PDK开发环境 | 第70页 |
| 6.2 基于ADS的PDK基础理论 | 第70-72页 |
| 6.2.1 基于ADS的PDK基础结构 | 第71-72页 |
| 6.2.2 基于ADS的PDK开发环境 | 第72页 |
| 6.3 基于ADS的PDK的开发流程 | 第72-75页 |
| 6.3.1 PDK主目录架构 | 第72-74页 |
| 6.3.2 PDK版图开发 | 第74-75页 |
| 6.3.3 PDK重要功能开发 | 第75页 |
| 6.4 InPHEMT器件模型的PDK开发 | 第75-77页 |
| 6.5 小结 | 第77-78页 |
| 第7章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 7.1 总结 | 第78页 |
| 7.2 展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 附录 | 第86页 |
