| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 雷达吸波材料 | 第13-16页 |
| 1.2.1 吸波材料分类 | 第14页 |
| 1.2.2 吸波材料的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.3 吸波材料的设计原则 | 第15-16页 |
| 1.3 吸波材料的结构设计 | 第16-19页 |
| 1.3.1 材料宏观结构设计 | 第16-18页 |
| 1.3.2 材料微结构设计 | 第18-19页 |
| 1.4 聚合物转化陶瓷 | 第19-22页 |
| 1.4.1 陶瓷先驱体种类 | 第20页 |
| 1.4.2 先驱体转化陶瓷的过程 | 第20-21页 |
| 1.4.3 聚合物转化陶瓷的应用 | 第21-22页 |
| 1.5 先驱体转化陶瓷的吸波性能 | 第22-26页 |
| 1.5.1 PDCs的吸波性能 | 第22-24页 |
| 1.5.2 改性后PDCs的吸波性能 | 第24-26页 |
| 1.6 本课题选题依据和研究目标 | 第26-27页 |
| 1.7 研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验原料、设备与方法 | 第29-37页 |
| 2.1 实验原料 | 第29-30页 |
| 2.1.1 聚硅氧烷 | 第29页 |
| 2.1.2 二茂铁 | 第29页 |
| 2.1.3 单体1,1’-二(二甲基硅乙烯基)二茂铁 | 第29-30页 |
| 2.1.4 氮化硅粉 | 第30页 |
| 2.1.5 氧化镥粉 | 第30页 |
| 2.1.6 硅粉 | 第30页 |
| 2.1.7 纳米碳化硅 | 第30页 |
| 2.1.8 碳纳米管 | 第30页 |
| 2.2 实验设备 | 第30-32页 |
| 2.2.1 裂解炉 | 第30-31页 |
| 2.2.2 管式炉 | 第31页 |
| 2.2.3 热压炉 | 第31页 |
| 2.2.4 三维打印机 | 第31-32页 |
| 2.3 测试设备 | 第32-37页 |
| 2.3.1 红外光谱测试 | 第32页 |
| 2.3.2 核磁共振 | 第32页 |
| 2.3.3 热重-差热-质谱测试 | 第32页 |
| 2.3.4 XRD测试 | 第32页 |
| 2.3.5 拉曼分析 | 第32页 |
| 2.3.6 扫描电镜 | 第32页 |
| 2.3.7 透射电镜 | 第32-33页 |
| 2.3.8 密度和气孔率 | 第33页 |
| 2.3.9 电阻率测试 | 第33页 |
| 2.3.10 电磁性能测试 | 第33-34页 |
| 2.3.11 三点弯测试 | 第34-37页 |
| 第3章 单层吸波材料的理论计算和微结构设计 | 第37-47页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 金属背板模型反射率计算 | 第37-41页 |
| 3.2.1 最优吸收计算 | 第37-39页 |
| 3.2.2 宽频吸收计算 | 第39-41页 |
| 3.3 吸波材料微结构优化设计 | 第41-44页 |
| 3.4 吸波型PDCs的微结构设计 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 SiC/Si_3N_4复相陶瓷的电磁特性 | 第47-67页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 SiC纳米线对SiC/Si_3N_4吸波性能的影响 | 第47-55页 |
| 4.2.1 实验方案 | 第47-49页 |
| 4.2.2 三维打印制备多孔Si_3N_4陶瓷 | 第49-50页 |
| 4.2.3 SiC/Si_3N_4陶瓷的微结构 | 第50-53页 |
| 4.2.4 SiC/Si_3N_4陶瓷的吸波性能 | 第53-55页 |
| 4.3 SiC纳米线对SiOC/Si_3N_4吸波性能和力学性能的影响 | 第55-65页 |
| 4.3.1 实验方案 | 第55-56页 |
| 4.3.2 三维打印结合直接硅粉氮化制备多孔Si_3N_4陶瓷 | 第56-57页 |
| 4.3.3 SiOC/Si_3N_4陶瓷的微结构 | 第57-60页 |
| 4.3.4 SiOC/Si_3N_4陶瓷的介电性能 | 第60-64页 |
| 4.3.5 SiOC/Si_3N_4陶瓷的力学性能 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 物理改性先驱体制备SiOC陶瓷的电磁特性 | 第67-91页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 CNTs/SiC/SiOC的电磁性能 | 第67-77页 |
| 5.2.1 实验方案 | 第67-68页 |
| 5.2.2 CNTs改性SiOC陶瓷热解过程中的热重分析 | 第68-69页 |
| 5.2.3 CNTs/SiC/SiOC陶瓷的微结构 | 第69-74页 |
| 5.2.4 CNTs/SiC/SiOC陶瓷的吸波性能 | 第74-77页 |
| 5.3 C/n-SiC/SiOC的电磁性能 | 第77-89页 |
| 5.3.1 实验方案 | 第77-78页 |
| 5.3.2 n-SiC改性SiOC陶瓷热解过程中的热重分析 | 第78-79页 |
| 5.3.3 C/n-SiC/SiOC陶瓷的微结构 | 第79-84页 |
| 5.3.4 C/n-SiC/SiOC陶瓷的吸波性能 | 第84-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 第6章 TiC/SiC/SiOC陶瓷的电磁特性 | 第91-101页 |
| 6.1 引言 | 第91页 |
| 6.2 实验方案 | 第91-92页 |
| 6.3 TiC/SiC/SiOC陶瓷热解过程中的热重分析 | 第92页 |
| 6.4 TiC/SiC/SiOC陶瓷的微结构 | 第92-96页 |
| 6.4.1 温度对TiC/SiC/SiOC陶瓷微结构的影响 | 第92-94页 |
| 6.4.2 钛酸四丁酯含量对TiC/SiC/SiOC陶瓷微结构的影响 | 第94-96页 |
| 6.5 TiC/SiC/SiOC陶瓷的吸波性能 | 第96-99页 |
| 6.6 本章小结 | 第99-101页 |
| 第7章 化学改性制备C/SiC/SiOC陶瓷的电磁特性 | 第101-113页 |
| 7.1 引言 | 第101页 |
| 7.2 实验方案 | 第101-102页 |
| 7.3 改性先驱体HBPSO-VF的特性 | 第102-105页 |
| 7.4 VF改性对C/SiC/SiOC陶瓷微结构的影响 | 第105-109页 |
| 7.5 VF改性对C/SiC/SiOC陶瓷吸波性能的影响 | 第109-112页 |
| 7.5.1 介电性能 | 第109-110页 |
| 7.5.2 吸波性能 | 第110-112页 |
| 7.6 本章小结 | 第112-113页 |
| 结论 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-131页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及申请专利 | 第131-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
