| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8页 |
| 1.2 SiC晶体结构和物理化学性质 | 第8-13页 |
| 1.2.1 SiC的晶体结构和多型性 | 第8-11页 |
| 1.2.2 SiC的物理化学性质 | 第11-13页 |
| 1.3 SiC单晶及薄膜的生长制备 | 第13-15页 |
| 1.3.1 SiC薄膜制备 | 第13-14页 |
| 1.3.2 SiC单晶生长 | 第14-15页 |
| 1.4 SiC晶体材料辐照效应现状 | 第15-18页 |
| 1.5 带电粒子辐照环境及辐照效应、损伤机制 | 第18-23页 |
| 1.5.1 带电粒子辐照环境 | 第18-19页 |
| 1.5.2 带电粒子辐照环境对SiC材料的辐照效应 | 第19页 |
| 1.5.3 带电粒子辐照环境对SiC材料的损伤机制 | 第19-23页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 试验材料及试验方法 | 第24-29页 |
| 2.1 试验样品 | 第24页 |
| 2.2 带电粒子辐照试验 | 第24-25页 |
| 2.3 分析试验方法 | 第25-29页 |
| 2.3.1 电子顺磁共振谱(EPR)分析 | 第25-26页 |
| 2.3.2 表面形貌观察 | 第26页 |
| 2.3.3 X-射线衍射(XRD)分析 | 第26-27页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第27页 |
| 2.3.5 红外光谱(FTIR)分析 | 第27页 |
| 2.3.6 拉曼光谱(Raman)分析 | 第27-29页 |
| 第3章 6H-SiC的离子辐照效应 | 第29-50页 |
| 3.1 离子辐照SiC的SRIM模拟及原子离位损伤 | 第29-32页 |
| 3.2 离子辐照6H-SiC的自由基形成及演化规律 | 第32-33页 |
| 3.3 离子辐照6H-SiC的物相分析 | 第33-35页 |
| 3.4 离子辐照6H-SiC的XPS分析 | 第35-42页 |
| 3.4.1 N离子辐照6H-SiC的XPS分析 | 第35-39页 |
| 3.4.2 质子辐照6H-SiC的XPS分析 | 第39-40页 |
| 3.4.3 Ar离子辐照6H-SiC的XPS分析 | 第40-42页 |
| 3.5 离子辐照6H-SiC微观形貌 | 第42-44页 |
| 3.6 离子辐照6H-SiC拉曼(Raman)分析 | 第44-48页 |
| 3.6.1 N离子辐照6H-SiC的Raman分析 | 第44-46页 |
| 3.6.2 Ar离子辐照6H-SiC的Raman分析 | 第46-47页 |
| 3.6.3 质子辐照6H-SiC的Raman分析 | 第47页 |
| 3.6.4 不同注量离子辐照6H-SiC的Raman分析 | 第47-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 4H-SiC的离子辐照效应 | 第50-64页 |
| 4.1 离子辐照4H-SiC的自由基形成及演化规律 | 第50-51页 |
| 4.2 离子辐照4H-SiC的物相分析 | 第51-52页 |
| 4.3 离子辐照4H-SiC的XPS分析 | 第52-56页 |
| 4.3.1 N离子辐照4H-SiC的XPS分析 | 第52-54页 |
| 4.3.2 Ar离子辐照4H-SiC的XPS分析 | 第54-55页 |
| 4.3.3 质子辐照4H-SiC的XPS分析 | 第55-56页 |
| 4.4 离子辐照4H-SiC微观形貌 | 第56-58页 |
| 4.5 离子辐照4H-SiC红外(FTIR)分析 | 第58-59页 |
| 4.6 离子辐照4H-SiC拉曼(Raman)分析 | 第59-63页 |
| 4.6.1 N离子辐照4H-SiC的Raman分析 | 第59-61页 |
| 4.6.2 Ar离子辐照4H-SiC的Raman分析 | 第61页 |
| 4.6.3 质子辐照4H-SiC的Raman分析 | 第61-62页 |
| 4.6.4 不同注量离子辐照4H-SiC的Raman分析 | 第62-63页 |
| 4.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
