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铊、锗单掺杂对碘化铟电子和光学性质的第一性原理研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 半导体核探测材料的研究背景第10-11页
    1.2 碘化铟晶体的研究进展第11-13页
    1.3 计算模拟的物理学意义第13-14页
    1.4 研究目的和意义第14页
    1.5 本文的主要研究内容第14-16页
第2章 第一性原理计算基本理论和方法第16-28页
    2.1 引言第16-17页
    2.2 量子力学基础第17-20页
        2.2.1 Born - Oppenheimer定核近似第18-19页
        2.2.2 Hartree - Fock近似第19-20页
    2.3 密度泛函理论第20-26页
        2.3.1 Hohenberg - Kohn定理第21-22页
        2.3.2 Kohn - Sham方程第22-23页
        2.3.3 交换关联能近似第23-25页
        2.3.4 自洽场(SCF)计算第25-26页
    2.4 计算程序CASTEP简介第26-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第3章 纯InI晶体的电子结构和光学性质第28-38页
    3.1 引言第28-29页
    3.2 计算模型与方法第29-30页
        3.2.1 纯InI晶体的模型构建第29-30页
        3.2.2 计算方法第30页
    3.3 纯InI电子结构与光学性质分析第30-36页
        3.3.1 结构参数第30-31页
        3.3.2 InI的能带结构第31-33页
        3.3.3 InI的态密度第33-34页
        3.3.4 InI的差分电荷密度第34页
        3.3.5 InI的光学性质第34-36页
    3.4 本章小结第36-38页
第4章 Tl掺杂对InI禁带宽度和光学性质的影响第38-48页
    4.1 引言第38页
    4.2 计算模型与方法第38-39页
    4.3 Tl掺杂InI禁带宽度和光学性质分析第39-47页
        4.3.1 晶体稳定性及形成能分析第39-40页
        4.3.2 Tl掺杂InI的电子结构分析第40-42页
        4.3.3 Tl掺杂InI的禁带宽度分析第42-44页
        4.3.4 Tl掺杂InI的差分电荷密度第44-45页
        4.3.5 Tl掺杂InI的光学性质分析第45-47页
    4.4 本章小结第47-48页
第5章 Ge掺杂对InI导电性和最小光学带隙的影响第48-59页
    5.1 引言第48页
    5.2 计算模型和方法第48-49页
    5.3 Ge掺杂InI导电性和最小光学带隙分析第49-57页
        5.3.1 结构优化分析第49页
        5.3.2 自由电子浓度与迁移率分析第49-52页
        5.3.3 能带结构和电导率分析第52-55页
        5.3.4 高掺杂与最小光学带隙分析第55-57页
    5.4 本章小结第57-59页
结论第59-61页
参考文献第61-66页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第66-67页
致谢第67-68页
作者简介第68页

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