摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 半导体核探测材料的研究背景 | 第10-11页 |
1.2 碘化铟晶体的研究进展 | 第11-13页 |
1.3 计算模拟的物理学意义 | 第13-14页 |
1.4 研究目的和意义 | 第14页 |
1.5 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
第2章 第一性原理计算基本理论和方法 | 第16-28页 |
2.1 引言 | 第16-17页 |
2.2 量子力学基础 | 第17-20页 |
2.2.1 Born - Oppenheimer定核近似 | 第18-19页 |
2.2.2 Hartree - Fock近似 | 第19-20页 |
2.3 密度泛函理论 | 第20-26页 |
2.3.1 Hohenberg - Kohn定理 | 第21-22页 |
2.3.2 Kohn - Sham方程 | 第22-23页 |
2.3.3 交换关联能近似 | 第23-25页 |
2.3.4 自洽场(SCF)计算 | 第25-26页 |
2.4 计算程序CASTEP简介 | 第26-27页 |
2.5 本章小结 | 第27-28页 |
第3章 纯InI晶体的电子结构和光学性质 | 第28-38页 |
3.1 引言 | 第28-29页 |
3.2 计算模型与方法 | 第29-30页 |
3.2.1 纯InI晶体的模型构建 | 第29-30页 |
3.2.2 计算方法 | 第30页 |
3.3 纯InI电子结构与光学性质分析 | 第30-36页 |
3.3.1 结构参数 | 第30-31页 |
3.3.2 InI的能带结构 | 第31-33页 |
3.3.3 InI的态密度 | 第33-34页 |
3.3.4 InI的差分电荷密度 | 第34页 |
3.3.5 InI的光学性质 | 第34-36页 |
3.4 本章小结 | 第36-38页 |
第4章 Tl掺杂对InI禁带宽度和光学性质的影响 | 第38-48页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 计算模型与方法 | 第38-39页 |
4.3 Tl掺杂InI禁带宽度和光学性质分析 | 第39-47页 |
4.3.1 晶体稳定性及形成能分析 | 第39-40页 |
4.3.2 Tl掺杂InI的电子结构分析 | 第40-42页 |
4.3.3 Tl掺杂InI的禁带宽度分析 | 第42-44页 |
4.3.4 Tl掺杂InI的差分电荷密度 | 第44-45页 |
4.3.5 Tl掺杂InI的光学性质分析 | 第45-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-48页 |
第5章 Ge掺杂对InI导电性和最小光学带隙的影响 | 第48-59页 |
5.1 引言 | 第48页 |
5.2 计算模型和方法 | 第48-49页 |
5.3 Ge掺杂InI导电性和最小光学带隙分析 | 第49-57页 |
5.3.1 结构优化分析 | 第49页 |
5.3.2 自由电子浓度与迁移率分析 | 第49-52页 |
5.3.3 能带结构和电导率分析 | 第52-55页 |
5.3.4 高掺杂与最小光学带隙分析 | 第55-57页 |
5.4 本章小结 | 第57-59页 |
结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第66-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
作者简介 | 第68页 |