基于近场微波显微镜的薄膜样品的特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 近场微波扫描系统概述 | 第13-14页 |
| 1.3 本课题的研究内容 | 第14页 |
| 1.4 本课题的特色与创新之处 | 第14-15页 |
| 第二章 近场扫描微波显微系统测试 | 第15-31页 |
| 2.1 近场扫描微波测试系统工作原理 | 第15-19页 |
| 2.1.1 理论基础 | 第15-17页 |
| 2.1.2 阿贝衍射极限 | 第17-18页 |
| 2.1.3 近场理论 | 第18页 |
| 2.1.4 针尖样品的等效电路 | 第18-19页 |
| 2.2 近场扫描微波显微系统硬件系统 | 第19-27页 |
| 2.2.1 同轴谐振腔 | 第20-24页 |
| 2.2.2 探针 | 第24-26页 |
| 2.2.3 矢量网络分析仪 | 第26-27页 |
| 2.2.4 其他部分 | 第27页 |
| 2.3 软件部分 | 第27-29页 |
| 2.3.1 LabView | 第27-29页 |
| 2.3.2 数据图像可视化处理 | 第29页 |
| 2.4 近场微波扫描系统测试方法 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 金属薄膜的制备与表征 | 第31-43页 |
| 3.1 金属薄膜的制备 | 第31-34页 |
| 3.1.1 磁控溅射的工艺研究 | 第31页 |
| 3.1.2 溅射变量 | 第31-33页 |
| 3.1.3 溅射金属薄膜的定标 | 第33-34页 |
| 3.2 金属薄膜的表征方法 | 第34-37页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜表征 | 第34-35页 |
| 3.2.2 四探针法测金属薄膜导电性 | 第35-37页 |
| 3.3 近场微波显微镜对金属薄膜的无损测试 | 第37-41页 |
| 3.3.1 空载测试结果 | 第37-38页 |
| 3.3.2 谐振频率分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 品质因数Q与S11的分析 | 第39-41页 |
| 3.4 改进方案 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 石墨烯薄膜样品的制备与表征 | 第43-58页 |
| 4.1 石墨烯的制备 | 第43-46页 |
| 4.1.1 SiO_2衬底处理 | 第43-44页 |
| 4.1.2 氧化石墨烯的制备 | 第44页 |
| 4.1.3 石墨烯薄膜的制备 | 第44-46页 |
| 4.2 石墨烯的表征方法 | 第46-50页 |
| 4.2.1 拉曼光谱分析 | 第47页 |
| 4.2.2 扫描电镜法对石墨烯的形貌表征 | 第47-48页 |
| 4.2.3 四探针法测试石墨烯的导电性 | 第48-50页 |
| 4.3 近场微波扫描显微镜对石墨烯的无损表征 | 第50-57页 |
| 4.3.1 空载测试结果 | 第50页 |
| 4.3.2 频率扫描的结果及分析 | 第50-52页 |
| 4.3.3 品质因数Q与S11的结果及分析 | 第52-56页 |
| 4.3.4 微波参数面扫描分析 | 第56-57页 |
| 4.4 改进方案 | 第57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附表一 直径修正系数F(D/S)与D/S值的关系 | 第64-65页 |
| 附表二 厚度修正系数F(W/S)与W/S值的关系 | 第65-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |
