S波段GaN高效率内匹配功率放大器设计技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-13页 |
| 1.2 研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN功率放大器基础 | 第17-34页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第17-25页 |
| 2.1.1 直流分析 | 第17-21页 |
| 2.1.1.1 电荷控制模型 | 第18-19页 |
| 2.1.1.2 直流特性分析 | 第19-21页 |
| 2.1.2 射频分析 | 第21-25页 |
| 2.1.2.1 HEMT等效电路模型 | 第21-22页 |
| 2.1.2.2 射频特性分析 | 第22-25页 |
| 2.2 功率放大器基本指标 | 第25-28页 |
| 2.2.1 增益、输出功率和效率 | 第25-27页 |
| 2.2.2 线性度 | 第27页 |
| 2.2.3 稳定性 | 第27-28页 |
| 2.3 功率放大器分类 | 第28-32页 |
| 2.3.1 传统类别功率放大器 | 第28-30页 |
| 2.3.1.1 A类 | 第28-29页 |
| 2.3.1.2 B类 | 第29页 |
| 2.3.1.3 AB类 | 第29页 |
| 2.3.1.4 C类 | 第29-30页 |
| 2.3.2 开关类功率放大器 | 第30-32页 |
| 2.3.2.1 E类 | 第30-31页 |
| 2.3.2.2 F类 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 内匹配功率放大器关键技术 | 第34-49页 |
| 3.1 内匹配电路的无源元件 | 第34-38页 |
| 3.1.1 内匹配电路的基片 | 第34-35页 |
| 3.1.2 内匹配电路的电阻 | 第35页 |
| 3.1.3 内匹配电路的电容 | 第35-36页 |
| 3.1.4 内匹配电路的电感 | 第36-37页 |
| 3.1.5 微带传输线 | 第37-38页 |
| 3.2 内匹配功放的高效率技术 | 第38-44页 |
| 3.2.1 波形工程 | 第38-39页 |
| 3.2.2 谐波控制 | 第39-44页 |
| 3.2.2.1 谐波控制的概念 | 第39-40页 |
| 3.2.2.2 谐波控制的数学描述 | 第40-44页 |
| 3.3 功率合成技术 | 第44-48页 |
| 3.3.1 威尔金森功分器 | 第45-46页 |
| 3.3.2 四端.功率分配网络 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 高效率内匹配功率放大器设计 | 第49-62页 |
| 4.1 功率放大器设计流程 | 第49-50页 |
| 4.2 直流特性分析 | 第50页 |
| 4.3 稳定网络设计 | 第50-52页 |
| 4.4 带有阻抗变换功能的功分器 | 第52-53页 |
| 4.5 负载牵引和源牵引 | 第53-55页 |
| 4.6 匹配网络设计 | 第55-58页 |
| 4.7 谐波控制技术应用 | 第58-60页 |
| 4.8 谐波平衡分析 | 第60-61页 |
| 4.9 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 功率放大器加工测试与分析 | 第62-74页 |
| 5.1 基片加工 | 第62-63页 |
| 5.2 封装外壳 | 第63页 |
| 5.3 内匹配电路焊接 | 第63-64页 |
| 5.4 测试夹具设计与加工 | 第64-66页 |
| 5.5 测试和结果分析 | 第66-72页 |
| 5.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 总结 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 攻硕期间取得研究成果 | 第82-83页 |
