| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展 | 第10-11页 |
| 1.3 薄膜晶体管的种类 | 第11-15页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第12页 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 | 第13页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管 | 第13-15页 |
| 1.4 铟镓锌氧化物 | 第15-16页 |
| 1.4.1 IGZO简介 | 第15页 |
| 1.4.2 IGZO材料性质 | 第15-16页 |
| 1.5 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的发展与研究现状 | 第16-18页 |
| 1.5.1 IGZO-TFT的发展历程 | 第16页 |
| 1.5.2 IGZO-TFT的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜晶体管的工作原理及薄膜表征手段 | 第20-29页 |
| 2.1 薄膜晶体管的结构和工作原理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 薄膜晶体管的结构 | 第20-21页 |
| 2.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.1.3 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜的表征手段 | 第24-28页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第24页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第25-26页 |
| 2.2.4 紫外-可见分光光度计 | 第26页 |
| 2.2.5 台阶仪 | 第26-27页 |
| 2.2.6 四探针测试仪 | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 铟镓锌氧化物薄膜的制备 | 第29-45页 |
| 3.1 IGZO薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 3.1.1 切割基片 | 第29页 |
| 3.1.2 基片的清洗 | 第29页 |
| 3.1.3 制备IGZO薄膜 | 第29-30页 |
| 3.2 IGZO薄膜的光学透过率测试 | 第30-32页 |
| 3.3 IGZO薄膜结构及形貌测试 | 第32-41页 |
| 3.3.1 不同溅射功率下的IGZO薄膜 | 第33-35页 |
| 3.3.2 不同溅射腔气压下的IGZO薄膜 | 第35-37页 |
| 3.3.3 不同氧分压下的IGZO薄膜 | 第37-41页 |
| 3.4 IGZO薄膜的结晶性 | 第41-43页 |
| 3.5 IGZO薄膜电阻率的测试 | 第43页 |
| 3.6 磁控溅射仪溅射速率的测试 | 第43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及性能研究 | 第45-63页 |
| 4.1 实验设计 | 第45-46页 |
| 4.2 IGZO-TFT器件的制备及测试 | 第46-52页 |
| 4.2.1 基片的清洗 | 第46-47页 |
| 4.2.2 绝缘层的制备 | 第47-48页 |
| 4.2.3 有源层的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.4 源漏电极的制备 | 第49-50页 |
| 4.2.5 TFT器件的测试 | 第50-51页 |
| 4.2.6 实验数据的处理 | 第51-52页 |
| 4.3 IGZO-TFT器件的测试结果及分析 | 第52-61页 |
| 4.3.1 氧分压对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.3.2 缓冲层对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.3 绝缘层厚度对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第56-59页 |
| 4.3.4 退火温度对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
