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SiC涂层缺陷的脉冲红外热波无损检测关键技术研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第12-25页
    1.1 课题的研究背景第12-14页
    1.2 涂层结构传统检测方法概述第14-17页
    1.3 红外无损检测技术概述第17-22页
        1.3.1 红外无损检测技术分类第17-19页
        1.3.2 脉冲红外热像法研究概况第19-22页
    1.4 课题的研究意义第22-23页
    1.5 本文的主要研究内容第23-25页
第2章 SiC涂层缺陷的脉冲红外热波检测理论研究第25-46页
    2.1 引言第25页
    2.2 红外热波无损检测基础理论第25-28页
        2.2.1 传热学理论第25-27页
        2.2.2 红外热成像理论第27-28页
    2.3 脉冲红外热波无损检测原理第28-29页
    2.4 SiC涂层缺陷脉冲红外热波检测一维热传导模型第29-34页
    2.5 SiC涂层缺陷脉冲红外热波检测仿真研究第34-45页
        2.5.1 三维热传导模型的建立第35-37页
        2.5.2 模拟参数设计与表征参数定义第37-40页
        2.5.3 缺陷几何特征的影响第40-44页
        2.5.4 采样频率和采样时间的影响第44-45页
    2.6 本章小结第45-46页
第3章 SiC涂层缺陷的脉冲红外热波检测试验研究第46-65页
    3.1 引言第46页
    3.2 脉冲红外热波检测系统的架构与设计第46-52页
        3.2.1 热激励系统第47-50页
        3.2.2 红外热成像系统第50页
        3.2.3 图像序列处理与分析系统第50-52页
    3.3 SiC涂层缺陷的脉冲红外热波检测试验研究第52-64页
        3.3.1 SiC涂层缺陷试验构件第52-54页
        3.3.2 SiC涂层缺陷的脉冲红外热波检测试验方法与过程第54-55页
        3.3.3 SiC涂层缺陷的脉冲红外热波检测试验结果与分析第55-64页
    3.4 本章小结第64-65页
第4章 脉冲红外图像序列处理算法研究第65-84页
    4.1 引言第65页
    4.2 红外图像序列的采集第65-67页
    4.3 红外图像序列的预处理第67-70页
    4.4 红外图像序列后续处理算法第70-82页
        4.4.1 多项式拟合时间微分-相关系数法第70-72页
        4.4.2 脉冲相位法第72-73页
        4.4.3 马尔科夫-主成分分析法第73-75页
        4.4.4 分析窗对马尔科夫-主成分分析法处理效果的影响第75-78页
        4.4.5 各种算法处理效果比较第78-82页
    4.5 本章小结第82-84页
第5章 SiC涂层厚度检测及缺陷的识别与判定第84-106页
    5.1 引言第84页
    5.2 SiC涂层厚度检测第84-92页
        5.2.1 导热反问题模型建立第84-85页
        5.2.2 导热反问题求解算法选择与设计第85-89页
        5.2.3 基于模拟退火算法的涂层厚度反演第89-92页
    5.3 基于红外图像边缘检测的缺陷几何特征识别第92-99页
        5.3.1 基于经典检测算子的缺陷边缘检测第92-94页
        5.3.2 基于模糊C均值聚类-Canny算子的缺陷边缘检测第94-98页
        5.3.3 基于边缘检测的缺陷直径尺寸计算第98-99页
    5.4 基于Markov-PCA-BP神经网络的缺陷深度和径向尺寸检测第99-105页
        5.4.1 主成分确定第100-102页
        5.4.2 SiC涂层缺陷深度和径向尺寸预测模型建立第102-103页
        5.4.3 预测结果及分析第103-105页
    5.5 本章小结第105-106页
结论第106-107页
展望第107-108页
参考文献第108-116页
攻读博士学位期间发表的论文及其他成果第116-119页
致谢第119-120页
个人简历第120页

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