| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 CMOS 图像传感器及其空间应用 | 第9-10页 |
| 1.2 空间辐射环境与 CMOS 图像传感器的辐射效应 | 第10-13页 |
| 1.3 CMOS 图像传感器辐射效应与加固技术的国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 抗辐射数字像素 CMOS 图像传感器设计的意义 | 第14-15页 |
| 1.5 本文内容安排与主要创新点 | 第15-16页 |
| 1.6 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 CMOS 图像传感器辐射效应研究 | 第17-36页 |
| 2.1 CMOS 图像传感器基本结构 | 第17-19页 |
| 2.2 CMOS 图像传感器的单粒子效应 | 第19-27页 |
| 2.2.1 辐射效应 | 第19-21页 |
| 2.2.2 损伤机理 | 第21-27页 |
| 2.3 CMOS 图像传感器的总剂量效应 | 第27-35页 |
| 2.3.1 辐射效应 | 第27-30页 |
| 2.3.2 损伤机理 | 第30-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 CMOS 图像传感器加固技术研究 | 第36-96页 |
| 3.1 CMOS 图像传感器的单粒子效应加固 | 第36-59页 |
| 3.1.1 电路加固 | 第36-53页 |
| 3.1.2 像素加固 | 第53-59页 |
| 3.2 CMOS 图像传感器的总剂量效应加固 | 第59-65页 |
| 3.2.1 电路加固 | 第59-64页 |
| 3.2.2 像素加固 | 第64-65页 |
| 3.3 抗辐射标准单元库开发 | 第65-95页 |
| 3.3.1 封闭栅 NMOS 的尺寸参数提取与修正 | 第66-72页 |
| 3.3.2 原理图设计 | 第72-75页 |
| 3.3.3 版图设计 | 第75-79页 |
| 3.3.4 DRC/LVS | 第79页 |
| 3.3.5 单元表征 | 第79-84页 |
| 3.3.5.1 寄生网表抽取 | 第79-80页 |
| 3.3.5.2 表征环境配置 | 第80-84页 |
| 3.3.6 抽象视图生成 | 第84-85页 |
| 3.3.7 设计实例 | 第85-95页 |
| 3.3.7.1 设计规范 | 第85页 |
| 3.3.7.2 RTL 描述 | 第85-86页 |
| 3.3.7.3 功能验证 | 第86-87页 |
| 3.3.7.4 逻辑综合 | 第87页 |
| 3.3.7.5 形式验证 | 第87页 |
| 3.3.7.6 自动布局布线 | 第87-89页 |
| 3.3.7.7 DRC/LVS | 第89-91页 |
| 3.3.7.8 反标后仿真 | 第91页 |
| 3.3.7.9 静态时序分析 | 第91-92页 |
| 3.3.7.10 全芯片电路级后仿真 | 第92-94页 |
| 3.3.7.11 设计流程总结 | 第94-95页 |
| 3.4 本章小结 | 第95-96页 |
| 第四章 抗辐射数字像素 CMOS 图像传感器设计 | 第96-129页 |
| 4.1 数字像素结构 | 第96-107页 |
| 4.1.1 光电二极管设计 | 第97-98页 |
| 4.1.2 比较器设计 | 第98-99页 |
| 4.1.3 存储单元设计 | 第99-101页 |
| 4.1.4 数字像素整体版图 | 第101-103页 |
| 4.1.5 数字像素阵列设计 | 第103-107页 |
| 4.2 时序控制逻辑 | 第107-118页 |
| 4.2.1 功能定义 | 第107-111页 |
| 4.2.2 RTL 设计与功能仿真 | 第111-115页 |
| 4.2.3 逻辑综合 | 第115页 |
| 4.2.4 自动布局布线 | 第115-116页 |
| 4.2.5 DRC/LVS | 第116-117页 |
| 4.2.6 静态时序分析 | 第117-118页 |
| 4.3 整体芯片设计 | 第118-125页 |
| 4.4 数字像素单粒子效应分析 | 第125-128页 |
| 4.5 本章小结 | 第128-129页 |
| 第五章 总结与展望 | 第129-132页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第129-130页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-140页 |
| 发表论文与参加科研情况说明 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142页 |
