| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| 第1章 研究背景 | 第15-41页 |
| 1.1 自旋电子学简介 | 第15-16页 |
| 1.2 闪锌矿结构半导体的能带结构和自旋轨道耦合 | 第16-35页 |
| 1.2.1 体材料半导体的价带能带结构和k·p方法 | 第16-23页 |
| 1.2.2 有效哈密顿量 | 第23-31页 |
| 1.2.3 由SIA和BIA贡献的自旋轨道耦合 | 第31-35页 |
| 1.3 自旋弛豫机制 | 第35-41页 |
| 第2章 p型量子点中的空穴自旋弛豫 | 第41-62页 |
| 2.1 引言 | 第41页 |
| 2.2 理论模型 | 第41-48页 |
| 2.2.1 哈密顿量 | 第41-46页 |
| 2.2.2 空穴本征波函数和本征能量 | 第46-47页 |
| 2.2.3 跃迁几率和自旋弛豫时间 | 第47-48页 |
| 2.3 结果分析 | 第48-61页 |
| 2.3.1 约束在(001)生长方向量子阱内的量子点 | 第48-56页 |
| 2.3.2 约束在(111)生长方向量子阱内的量子点 | 第56-60页 |
| 2.3.3 自旋弛豫时间随阱宽的变化关系 | 第60-61页 |
| 2.4 小结 | 第61-62页 |
| 第3章 p型GaAs量子线中的空穴自旋弛豫 | 第62-78页 |
| 3.1 引言 | 第62页 |
| 3.2 理论模型 | 第62-67页 |
| 3.3 数值结果 | 第67-76页 |
| 3.3.1 自旋弛豫机制 | 第69-70页 |
| 3.3.2 自旋弛豫时间对量子线宽度的依赖关系 | 第70-72页 |
| 3.3.3 自旋弛豫时间对空穴浓度与温度的依赖关系 | 第72-75页 |
| 3.3.4 自旋弛豫时间对自旋极化的依赖关系 | 第75-76页 |
| 3.4 小结 | 第76-78页 |
| 第4章 n型InAs量子线中的电子自旋弛豫 | 第78-90页 |
| 4.1 引言 | 第78页 |
| 4.2 理论模型 | 第78-82页 |
| 4.3 数值结果 | 第82-89页 |
| 4.3.1 量子线线宽的影响 | 第82-84页 |
| 4.3.2 (110)和(111)量子线 | 第84-87页 |
| 4.3.3 杂质与温度的影响 | 第87-89页 |
| 4.4 小结 | 第89-90页 |
| 第5章 GaAs量子阱中的空穴自旋弛豫 | 第90-109页 |
| 5.1 引言 | 第90页 |
| 5.2 理论模型 | 第90-92页 |
| 5.3 结果分析 | 第92-107页 |
| 5.3.1 自旋信号的时间演化 | 第93-94页 |
| 5.3.2 自旋驰豫时间的温度依赖关系 | 第94-98页 |
| 5.3.3 散射对自旋弛豫的影响 | 第98-99页 |
| 5.3.4 对自旋弛豫时间的简单解析分析 | 第99-102页 |
| 5.3.5 库仑散射对自旋弛豫时间的影响 | 第102-104页 |
| 5.3.6 杂质浓度对自旋弛豫时间的影响 | 第104-105页 |
| 5.3.7 自旋弛豫时间对空穴浓度的依赖关系 | 第105-107页 |
| 5.4 小结 | 第107-109页 |
| 第6章 n型ZnO材料量子阱系统中的电子自旋弛豫 | 第109-118页 |
| 6.1 理论模型 | 第109-112页 |
| 6.2 数值结果 | 第112-117页 |
| 6.2.1 自旋弛豫时间对温度的依赖关系 | 第113-114页 |
| 6.2.2 自旋驰豫时间对电子浓度和量子阱阱宽的依赖关系 | 第114-116页 |
| 6.2.3 自旋驰豫时间对电场的依赖关系 | 第116-117页 |
| 6.3 小结 | 第117-118页 |
| 第7章 n型GaAs量子阱中电子自旋驰豫与自旋去相位 | 第118-122页 |
| 7.1 引言 | 第118页 |
| 7.2 理论模型 | 第118-119页 |
| 7.3 结果分析 | 第119-122页 |
| 第8章 总结 | 第122-127页 |
| 附录1 Lowdin Partitioning方法 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 在读期间发表的学术论文与研究报告 | 第136页 |
