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基于NAND flash主控制器的BCH纠错算法设计与实现

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-20页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第9-10页
    1.2 国内外研究发展现状分析第10-19页
        1.2.1 NAND flash 研究发展概述第10-16页
        1.2.2 NAND flash ECC 纠错算法研究发展现状第16-19页
    1.3 本文主要内容及结构第19-20页
第2章 BCH 纠错算法研究及验证第20-36页
    2.1 BCH 纠错算法研究第20-30页
        2.1.1 有限域概述及构造第20-21页
        2.1.2 线性分组码和循环码第21-24页
        2.1.3 二进制 BCH 算法参数意义及选取第24-26页
        2.1.4 BCH 编码过程第26-27页
        2.1.5 BCH 译码过程第27-30页
    2.2 BCH 算法功能验证第30-34页
        2.2.1 软件算法功能特性第30-31页
        2.2.2 功能验证步骤第31-32页
        2.2.3 算法功能验证实例第32-34页
    2.3 设计优化第34-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第3章 BCH 纠错算法固件设计第36-50页
    3.1 BCH 编码器固件设计第36-41页
        3.1.1 参数选取分析第36-37页
        3.1.2 32 位并行编码器设计第37-39页
        3.1.3 编码器的逻辑实现第39-41页
    3.2 BCH 译码器固件设计第41-49页
        3.2.1 有限域的构建第41-43页
        3.2.2 译码器的逻辑实现第43-49页
    3.3 本章小结第49-50页
第4章 固件 BCH 纠错算法测试第50-65页
    4.1 验证平台搭建第50-53页
        4.1.1 验证平台结构概述第50-51页
        4.1.2 基于 Zynq 的固件验证架构第51-53页
    4.2 测试方法及过程第53-54页
    4.3 固件仿真测试第54-56页
    4.4 实物纠错能力测试第56-61页
        4.4.1 基于 P/E(PROGRAM/ERASE 编程擦除次数)纠错能力测试第56-59页
        4.4.2 基于存储时间纠错能力测试第59-61页
    4.5 I/O 读写速度变化率测试第61-63页
        4.5.1 NAND flash 写入速度变化率测试第61-62页
        4.5.2 NAND flash 读取速度变化率测试第62-63页
    4.6 逻辑资源使用情况测试第63-64页
    4.7 本章小结第64-65页
结论第65-66页
参考文献第66-71页
致谢第71页

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