| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 超导现象的发现 | 第10页 |
| 1.2 超导理论的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 超导材料的发展 | 第12-13页 |
| 1.4 理想第二类超导体和非理想第二类超导体 | 第13-17页 |
| 1.4.1 理想第二类超导体 | 第13-15页 |
| 1.4.2 非理想第二类超导体 | 第15-17页 |
| 1.5 MgB_2超导电性的发现和晶体结构 | 第17页 |
| 1.5.1 MgB_2的发现 | 第17页 |
| 1.5.2 MgB_2的晶体结构 | 第17页 |
| 1.6 MgB_2超导薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| 1.7 MgB_2超导薄膜的应用 | 第18页 |
| 1.8 选题依据及研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 MgB_2超导薄膜约瑟夫森结 | 第20-26页 |
| 2.1 约瑟夫森效应 | 第20-21页 |
| 2.2 RSJ模型 | 第21页 |
| 2.3 约瑟夫森结的应用 | 第21-24页 |
| 2.3.1 超导量子干涉仪(SQUID) | 第21-23页 |
| 2.3.2 交流约瑟夫森效应的应用 | 第23页 |
| 2.3.3 超导计算机元件 | 第23页 |
| 2.3.4 其他方面的应用 | 第23-24页 |
| 2.4 MgB_2约瑟夫森结的研究现状 | 第24-26页 |
| 第三章 电子束退火制备MgB_2超导薄膜 | 第26-35页 |
| 3.1 制备MgB_2超导薄膜的理论依据 | 第26-28页 |
| 3.2 MgB_2前驱膜的制备 | 第28-30页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第28-29页 |
| 3.2.2 Mg的薄膜系数校正 | 第29页 |
| 3.2.3 B的薄膜系数校正 | 第29页 |
| 3.2.4 电子束蒸发沉积前驱膜 | 第29-30页 |
| 3.3 电子束退火条件的选择 | 第30-32页 |
| 3.3.1 电子束加速电压的选择 | 第30页 |
| 3.3.2 电子束束流I和束斑尺寸Φ的选择 | 第30-31页 |
| 3.3.3 退火时间的选择 | 第31-32页 |
| 3.3.4 退火次数的选择 | 第32页 |
| 3.4 在SiC和Si衬底上制备MgB_2超导薄膜 | 第32-35页 |
| 3.4.1 在6H-SiC衬底上沉积MgB_2超导薄膜 | 第32-34页 |
| 3.4.2 在Si衬底上沉积MgB_2超导薄膜 | 第34-35页 |
| 第四章 电子束退火制备MgB_2薄膜工艺参数的探讨 | 第35-42页 |
| 4.1 不同Mg/B比例对MgB_2薄膜超导性能的影响 | 第35-37页 |
| 4.2 不同退火束流对MgB_2薄膜超导性能的影响 | 第37-42页 |
| 第五章 MgB_2制备MgB_2/MgB_2约瑟夫森结的探索 | 第42-50页 |
| 5.1 三明治结构约瑟夫森结的制备 | 第42-44页 |
| 5.1.1 实验内容 | 第42-43页 |
| 5.1.2 实验结果与讨论 | 第43-44页 |
| 5.2 改进工艺后约瑟夫森结的制备 | 第44-50页 |
| 5.2.1 结构设计 | 第44-45页 |
| 5.2.2 实验结果与讨论 | 第45-50页 |
| 第六章 总结 | 第50-52页 |
| 6.1 结论 | 第50-51页 |
| 6.2 存在问题及展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 在学期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
