首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的生长、结构和外延论文

电子束退火制备MgB2超导薄膜和MgB2约瑟夫森结

中文摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 超导现象的发现第10页
    1.2 超导理论的发展第10-12页
    1.3 超导材料的发展第12-13页
    1.4 理想第二类超导体和非理想第二类超导体第13-17页
        1.4.1 理想第二类超导体第13-15页
        1.4.2 非理想第二类超导体第15-17页
    1.5 MgB_2超导电性的发现和晶体结构第17页
        1.5.1 MgB_2的发现第17页
        1.5.2 MgB_2的晶体结构第17页
    1.6 MgB_2超导薄膜的制备方法第17-18页
    1.7 MgB_2超导薄膜的应用第18页
    1.8 选题依据及研究内容第18-20页
第二章 MgB_2超导薄膜约瑟夫森结第20-26页
    2.1 约瑟夫森效应第20-21页
    2.2 RSJ模型第21页
    2.3 约瑟夫森结的应用第21-24页
        2.3.1 超导量子干涉仪(SQUID)第21-23页
        2.3.2 交流约瑟夫森效应的应用第23页
        2.3.3 超导计算机元件第23页
        2.3.4 其他方面的应用第23-24页
    2.4 MgB_2约瑟夫森结的研究现状第24-26页
第三章 电子束退火制备MgB_2超导薄膜第26-35页
    3.1 制备MgB_2超导薄膜的理论依据第26-28页
    3.2 MgB_2前驱膜的制备第28-30页
        3.2.1 衬底清洗第28-29页
        3.2.2 Mg的薄膜系数校正第29页
        3.2.3 B的薄膜系数校正第29页
        3.2.4 电子束蒸发沉积前驱膜第29-30页
    3.3 电子束退火条件的选择第30-32页
        3.3.1 电子束加速电压的选择第30页
        3.3.2 电子束束流I和束斑尺寸Φ的选择第30-31页
        3.3.3 退火时间的选择第31-32页
        3.3.4 退火次数的选择第32页
    3.4 在SiC和Si衬底上制备MgB_2超导薄膜第32-35页
        3.4.1 在6H-SiC衬底上沉积MgB_2超导薄膜第32-34页
        3.4.2 在Si衬底上沉积MgB_2超导薄膜第34-35页
第四章 电子束退火制备MgB_2薄膜工艺参数的探讨第35-42页
    4.1 不同Mg/B比例对MgB_2薄膜超导性能的影响第35-37页
    4.2 不同退火束流对MgB_2薄膜超导性能的影响第37-42页
第五章 MgB_2制备MgB_2/MgB_2约瑟夫森结的探索第42-50页
    5.1 三明治结构约瑟夫森结的制备第42-44页
        5.1.1 实验内容第42-43页
        5.1.2 实验结果与讨论第43-44页
    5.2 改进工艺后约瑟夫森结的制备第44-50页
        5.2.1 结构设计第44-45页
        5.2.2 实验结果与讨论第45-50页
第六章 总结第50-52页
    6.1 结论第50-51页
    6.2 存在问题及展望第51-52页
参考文献第52-57页
在学期间的研究成果第57-58页
致谢第58页

论文共58页,点击 下载论文
上一篇:D-T/D-D快中子诱发238U裂变产物模拟及测量方法初步研究
下一篇:飞秒泵浦探测方法研究二氧化氮和碘甲烷的光解离动力学