稀散金属镓高纯化制备的工艺研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 镓资源概况 | 第12-13页 |
| 1.1.1 镓的性质 | 第12页 |
| 1.1.2 镓资源分布概况 | 第12-13页 |
| 1.2 高纯镓及其化合物的应用 | 第13-16页 |
| 1.2.1 砷化镓(GaAs)的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.2 氮化镓(GaN)的应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 其它镓的化合物的应用 | 第15-16页 |
| 1.3 高纯镓制备技术国内外研究现状 | 第16-25页 |
| 1.3.1 电解精炼法 | 第16-18页 |
| 1.3.2 真空精炼法 | 第18页 |
| 1.3.3 结晶法 | 第18-22页 |
| 1.3.4 有机化合物热分解法 | 第22-23页 |
| 1.3.5 三氯化镓法 | 第23页 |
| 1.3.6 化学处理法 | 第23页 |
| 1.3.7 联合法 | 第23-24页 |
| 1.3.8 高纯镓提取方法的比较 | 第24-25页 |
| 1.4 高纯镓检测技术及国家标准 | 第25-27页 |
| 1.4.1 高纯镓的检测 | 第25-26页 |
| 1.4.2 高纯镓国家现行标准 | 第26-27页 |
| 1.5 课题研究意义和内容 | 第27-30页 |
| 1.5.1 课题的研究意义 | 第27页 |
| 1.5.2 课题的研究内容 | 第27-30页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第30-42页 |
| 2.1 结晶法制备高纯镓的基本原理 | 第30-33页 |
| 2.1.1 部分结晶法的基本原理 | 第30-32页 |
| 2.1.2 有效分凝系数 | 第32-33页 |
| 2.2 实验材料与仪器 | 第33-34页 |
| 2.2.1 实验原料和试剂 | 第33页 |
| 2.2.2 实验仪器和设备 | 第33-34页 |
| 2.3 实验设备的组装与调试 | 第34-36页 |
| 2.3.1 实验仪器的组装 | 第35-36页 |
| 2.3.2 实验装置的调试 | 第36页 |
| 2.4 实验过程控制 | 第36-42页 |
| 2.4.1 结晶实验流程 | 第36-38页 |
| 2.4.2 实验方法 | 第38-39页 |
| 2.4.3 实验过程 | 第39-42页 |
| 第3章 结晶工艺参数的实验与分析 | 第42-52页 |
| 3.1 冷却水流量对降温速率的影响 | 第42-43页 |
| 3.2 冷却水温度对降温速率的影响 | 第43页 |
| 3.3 冷却水流量对结晶速率的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.1 冷却水流量对结晶速率的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.2 冷却水流量对晶体生长状况的影响 | 第44-45页 |
| 3.4 冷却水温度对结晶速率的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.1 冷却水温度对结晶速率的影响 | 第45-47页 |
| 3.4.2 冷却水温对晶体生长状况的影响 | 第47页 |
| 3.5 液态镓降温速率与结晶速率方程 | 第47-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 高纯镓的制备与结果分析 | 第52-62页 |
| 4.1 冷却水温度对提纯效果的影响 | 第52-54页 |
| 4.2 晶种加入数量对提纯效果的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 结晶次数对提纯效果的影响 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
