| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1. 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 MoS_2的材料特性 | 第12-16页 |
| 1.3 MoS_2纳米薄膜制备方法 | 第16-23页 |
| 1.4 基于MoS_2的场效应晶体管 | 第23-30页 |
| 1.5 基于MoS_2的器件应用展望 | 第30-31页 |
| 1.6 本文的研究工作 | 第31-34页 |
| 2. MoS_2场效应晶体管制备工艺及测试方法 | 第34-46页 |
| 2.1 制备工艺 | 第34-41页 |
| 2.2 薄膜特性表征 | 第41-43页 |
| 2.3 器件电学特性测试 | 第43-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 3. 高k背栅MoS_2场效应晶体管制备及电性能研究 | 第46-69页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 HfO_2背栅MoS_2场效应晶体管 | 第47-57页 |
| 3.3 HfTiO背栅MoS_2场效应晶体管 | 第57-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 4. 高k介质包覆背栅MoS_2场效应晶体管研究 | 第69-97页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 HfO_2背栅薄层MoS_2场效应晶体管 | 第69-75页 |
| 4.3 HfO_2全包覆结构背栅薄层MoS_2场效应晶体管 | 第75-81页 |
| 4.4 MoS_2晶体管库伦杂质散射限制迁移率模型 | 第81-95页 |
| 4.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 5. 热CVD法制备MoS_2场效应晶体管工艺及特性研究 | 第97-120页 |
| 5.1 引言 | 第97-98页 |
| 5.2 MoS_2薄膜制备 | 第98-108页 |
| 5.3 MoS_2晶体管制备 | 第108-116页 |
| 5.4 MoS_2晶体管电特性测量 | 第116-119页 |
| 5.5 本章小结 | 第119-120页 |
| 6. 总结与展望 | 第120-125页 |
| 6.1 工作总结与创新点 | 第120-123页 |
| 6.2 工作展望 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-139页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表论文 | 第139页 |
