| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 缺陷化学术语及缩写释义 | 第12-15页 |
| 1 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 缺陷化学概述 | 第15-19页 |
| 1.2 钙钛矿结构的模型材料SrTiO_3和BaTiO_3 | 第19-21页 |
| 1.3 缺陷化学模拟计算 | 第21-23页 |
| 1.4 忆阻器概念 | 第23-33页 |
| 1.5 本课题研究思路、研究内容及创新点 | 第33-36页 |
| 2 钛酸锶和钛酸钡的缺陷化学 | 第36-80页 |
| 2.1 钛酸锶的缺陷化学 | 第36-64页 |
| 2.2 钛酸钡的缺陷化学 | 第64-77页 |
| 2.3 钛酸锶和钛酸钡缺陷化学研究中存在争议的问题 | 第77-79页 |
| 2.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 3 缺陷化学计算软件的设计与开发 | 第80-119页 |
| 3.1 数学模型 | 第82-86页 |
| 3.2 数值求解算法 | 第86-89页 |
| 3.3 软件功能需求分析 | 第89-95页 |
| 3.4 基于Qt的软件用户界面的设计与开发 | 第95-102页 |
| 3.5 软件运行数据库设计与开发 | 第102-104页 |
| 3.6 并行计算与核心算法的实现 | 第104-109页 |
| 3.7 数据后处理模块 | 第109-111页 |
| 3.8 计算结果与实验结果的对比验证 | 第111-117页 |
| 3.9 本章小结 | 第117-119页 |
| 4 基于铁酸铋的忆阻器的阻变性能 | 第119-136页 |
| 4.1 引言 | 第119-120页 |
| 4.2 BiFeO_3材料的缺陷化学 | 第120-121页 |
| 4.3 Pt/BiFeO_3/Pt忆阻器的制备 | 第121-122页 |
| 4.4 Pt/BiFeO_3/Pt忆阻器的阻变性能研究 | 第122-127页 |
| 4.5 氧空位点缺陷在模拟式阻变行为中的作用 | 第127-128页 |
| 4.6 氧空位点缺陷在数字式阻变中的作用及其模拟计算研究 | 第128-135页 |
| 4.7 本章小结 | 第135-136页 |
| 5 基于氧化钨的忆阻器的阻变性能 | 第136-147页 |
| 5.1 引言 | 第136-137页 |
| 5.2 WO_3材料的缺陷化学 | 第137页 |
| 5.3 Pt/WO_3/FTO忆阻器的制备与测试方法 | 第137-138页 |
| 5.4 Pt/WO_3/FTO忆阻器的阻变性能研究 | 第138-140页 |
| 5.5 伪电预处理过程在人工神经网络中的应用 | 第140-146页 |
| 5.6 本章小结 | 第146-147页 |
| 6 基于钛酸镧锂的忆阻器的阻变性能 | 第147-171页 |
| 6.1 引言 | 第147-149页 |
| 6.2 LLTO材料的缺陷化学 | 第149页 |
| 6.3 Pt/LLTO/Pt忆阻器的制备与测试方法 | 第149-151页 |
| 6.4 Pt/LLTO/Pt忆阻器的阻变性能及“习惯化” 的实现 | 第151-161页 |
| 6.5 阳离子缺陷在“习惯化”现象中的作用 | 第161-170页 |
| 6.6 本章小结 | 第170-171页 |
| 7 全文总结 | 第171-173页 |
| 致谢 | 第173-174页 |
| 参考文献 | 第174-188页 |
| 附录1 攻读博士期间发表和完成的论文及软件著作权目录 | 第188页 |
