| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 全球光伏发电的发展 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要研究背景及研究工作 | 第12-14页 |
| 第二章 太阳电池工作原理和制备工艺 | 第14-22页 |
| 2.1 太阳电池的工作原理 | 第14-17页 |
| 2.2 晶体硅太阳电池制备工艺 | 第17-21页 |
| 2.2.1 硅片的化学清洗 | 第18页 |
| 2.2.2 清除表面损伤层 | 第18页 |
| 2.2.3 绒面硅表面的制作 | 第18-19页 |
| 2.2.4 p-n 结制作 | 第19-20页 |
| 2.2.5 等离子体刻蚀 | 第20页 |
| 2.2.6 制备光学减反射膜及表面钝化 | 第20-21页 |
| 2.2.7 电极制作——丝网印刷及烧结 | 第21页 |
| 2.2.8 电池性能测试和分档 | 第21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 光伏太阳电池钝化减反射 | 第22-33页 |
| 3.1 减反射原理介绍 | 第22-23页 |
| 3.2 钝化机理介绍 | 第23-28页 |
| 3.2.1 半导体内的复合机制 | 第23-24页 |
| 3.2.2 钝化机理介绍 | 第24-25页 |
| 3.2.3 钝化质量的衡量 | 第25-26页 |
| 3.2.4 钝化技术介绍 | 第26-28页 |
| 3.3 PECVD-SIN_x工艺原理介绍 | 第28-31页 |
| 3.3.1 SiN_x 制备工艺介绍 | 第28-29页 |
| 3.3.2 SiN_x 钝化原理介绍 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第33-53页 |
| 4.1 实验设计 | 第33-34页 |
| 4.2 光学特性的变化 | 第34-38页 |
| 4.2.1 SiN_x:H 薄膜折射率的变化 | 第34-35页 |
| 4.2.2 SiN_x:H 薄膜N/Si 原子数比例的变化 | 第35-36页 |
| 4.2.3 SiN_x:H 薄膜沉积速率的变化 | 第36-37页 |
| 4.2.4 SiN_x:H 薄膜反射率的变化 | 第37-38页 |
| 4.3 薄膜的钝化效果 | 第38-45页 |
| 4.4 太阳电池的电学特性变化 | 第45-48页 |
| 4.5 原子键结合浓度的变化 | 第48-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 全文总结 | 第53-55页 |
| 5.1 主要结论 | 第53-54页 |
| 5.2 研究展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第59-61页 |