印制电子用纳米氧化亚铜和纳米银导电墨水的合成与表征
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 前言 | 第8-26页 |
1.1 电子产品未来发展趋势 | 第8页 |
1.2 传统PCB板制作简介 | 第8-9页 |
1.3 印制电子简介 | 第9-15页 |
1.3.1 印制电子技术 | 第9-11页 |
1.3.2 喷墨技术 | 第11-12页 |
1.3.3 喷墨墨水 | 第12-15页 |
1.4 纳米材料简介 | 第15-18页 |
1.4.1 纳米材料的特殊效应 | 第16-17页 |
1.4.2 纳米粒子的可控制备的方法 | 第17-18页 |
1.5 纳米氧化亚铜墨水简介 | 第18-21页 |
1.5.1 纳米氧化亚铜简介 | 第18页 |
1.5.2 纳米氧化亚铜制备方法 | 第18-21页 |
1.6 片状纳米银导电墨水简介 | 第21-26页 |
1.6.1 纳米银简介 | 第21页 |
1.6.2 纳米银的制备方法 | 第21-24页 |
1.6.3 纳米银片的形成机理 | 第24-26页 |
第二章 纳米氧化亚铜墨水的合成及表征 | 第26-31页 |
2.1 实验原料与仪器 | 第26页 |
2.2 实验方法 | 第26页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第26-30页 |
2.3.1 XRD表征 | 第26-27页 |
2.3.2 高倍TEM表征 | 第27-28页 |
2.3.3 紫外-可见光谱分析 | 第28-30页 |
2.3.4 产物稳定性分析 | 第30页 |
2.4 小结 | 第30-31页 |
第三章 片状纳米银探索制备 | 第31-44页 |
3.1 实验原料与仪器 | 第31页 |
3.2 低密度纳米银的制备 | 第31-32页 |
3.2.1 晶种溶液的制备 | 第31页 |
3.2.2 片状纳米银的制备 | 第31-32页 |
3.3 结果与讨论 | 第32-37页 |
3.3.1 TEM透射电镜表征 | 第32-35页 |
3.3.2 可见光吸收分析 | 第35-37页 |
3.4 高浓度纳米银制备 | 第37-38页 |
3.4.1 晶种溶液的制备 | 第37-38页 |
3.4.2 片状纳米银的制备 | 第38页 |
3.5 实验结果与分析 | 第38-43页 |
3.5.1 XRD图谱分析 | 第38-40页 |
3.5.2 导电率测定 | 第40页 |
3.5.3 SEM分析 | 第40-43页 |
3.6 总结 | 第43-44页 |
第四章 绿色一步法制备片状纳米银导电墨水 | 第44-51页 |
4.1 实验原料与仪器 | 第44页 |
4.2 实验方法 | 第44-45页 |
4.3 实验结果与表征 | 第45-50页 |
4.3.1 TEM表征 | 第45-46页 |
4.3.2 SEM表征 | 第46-48页 |
4.3.3 EDX结果讨论 | 第48页 |
4.3.4 XRD结果讨论 | 第48-49页 |
4.3.5 导电性表征 | 第49-50页 |
4.4 总结 | 第50-51页 |
第五章 全文总结 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-58页 |
作者在硕士研究生学习期间发表或待发表的论文 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |