| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 微波传输及吸收理论 | 第10-21页 |
| 1.2.1 麦克斯韦方程组 | 第10页 |
| 1.2.2 媒质中的场 | 第10-11页 |
| 1.2.3 波方程和基本平面波的解 | 第11-14页 |
| 1.2.4 电磁波的能量和功率 | 第14-16页 |
| 1.2.5 媒质分界面上平面波的反射 | 第16-21页 |
| 1.3 RTP退火情况下Ni Si_(1-x)Ge_x的研究 | 第21-28页 |
| 1.3.1 Ni与单晶Si_(1-x)Ge_x经RTP退火后的表征 | 第21-24页 |
| 1.3.2 NiSi_(1-x)Ge_x与Si_(1-u)Ge_u的反应和稳定性讨论 | 第24-28页 |
| 第二章 微波退火及相关测试设备简介 | 第28-35页 |
| 2.1 微波退火设备 | 第28-31页 |
| 2.1.1 反应腔与预处理腔 | 第29-30页 |
| 2.1.2 红外测温的不足 | 第30-31页 |
| 2.2 实验所用到的测试设备 | 第31-35页 |
| 2.2.1 四探针测量薄膜方块电阻 | 第31-32页 |
| 2.2.2 拉曼光谱 | 第32页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第32-33页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 | 第33页 |
| 2.2.5 X射线散射能谱仪 | 第33-35页 |
| 第三章 Ni/epi-Si_(0.81)Ge_(0.19)材料经MWA和RTP退火后的表征与对比 | 第35-46页 |
| 3.1 Ni/epi-Si_(0.81)Ge_(0.19)材料的生长 | 第35-36页 |
| 3.1.1 硅片的清洗 | 第35页 |
| 3.1.2 Si_(0.81)Ge_(0.19)层及Ni薄膜的生长 | 第35-36页 |
| 3.2 样品的退火处理 | 第36-37页 |
| 3.3 有10 nm镍的样品的退火结果表征 | 第37-42页 |
| 3.4 有20 nm镍的样品的退火结果表征 | 第42-44页 |
| 3.5 实验结果总结 | 第44-46页 |
| 第四章 微波退火的理论研究 | 第46-66页 |
| 4.1 薄膜在微波场中的电导损耗 | 第46-58页 |
| 4.1.1 单层薄膜在微波场中产生的电导损耗 | 第46-50页 |
| 4.1.2 双层相邻薄膜在微波场中产生的电导损耗 | 第50-58页 |
| 4.2 薄膜在微波场中的介质损耗 | 第58-62页 |
| 4.3 RTP和MWA的对比 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
