硅基光波导的结构优化及表面光滑化机理研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第10-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-21页 |
| 1.2.1 纳米光栅耦合器 | 第14-18页 |
| 1.2.2 波导表面光滑化处理 | 第18-21页 |
| 1.3 本文研究思路及关键技术问题 | 第21-23页 |
| 1.4 论文研究内容及结构安排 | 第23-26页 |
| 第二章 硅基光栅耦合理论和波导表面光滑机理 | 第26-40页 |
| 2.1 光波导的耦合特性 | 第26-30页 |
| 2.2 硅基光栅的耦合理论 | 第30-35页 |
| 2.2.1 硅基光栅的衍射条件 | 第30-33页 |
| 2.2.2 硅基光栅耦合结构模型 | 第33-35页 |
| 2.3 表面粗糙度对波导传输损耗的影响 | 第35-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 垂直耦合光栅结构优化设计 | 第40-56页 |
| 3.1 垂直耦合光栅的参数优化设计 | 第41-48页 |
| 3.1.1 OptiFDTD仿真环境 | 第41-43页 |
| 3.1.2 光栅结构参数耦合效率的影响 | 第43-47页 |
| 3.1.3 入射光参数对耦合效率的影响 | 第47-48页 |
| 3.2 垂直耦合光栅的耦合模式优化设计 | 第48-55页 |
| 3.2.1 垂直耦合光栅优化结构模型 | 第48-50页 |
| 3.2.2 添加后反射器的垂直耦合光栅 | 第50-52页 |
| 3.2.3 添加增透膜的垂直耦合光栅 | 第52-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 SOI硅基光波导表面光滑化 | 第56-72页 |
| 4.1 硅基波导表面光滑化模型构建 | 第56-62页 |
| 4.1.1 表面光滑化模拟的力场设定 | 第57-58页 |
| 4.1.2 表面光滑化模拟的系综选择 | 第58-59页 |
| 4.1.3 硅基光波导表面光滑化模型 | 第59-62页 |
| 4.2 硅氢键流密度法改善波导表面形貌的模拟研究 | 第62-67页 |
| 4.2.1 高温氢气氛围对波导表面形貌的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.2 硅氢键个数对硅波导表面形貌的影响 | 第63-65页 |
| 4.2.3 硅氢键位置对硅波导表面形貌的影响 | 第65-67页 |
| 4.3 硅氢键流密度法改善波导表面形貌的实验验证 | 第67-71页 |
| 4.3.1 实验系统平台 | 第67-68页 |
| 4.3.2 实验测试结果 | 第68-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及所取得的研究成果 | 第82页 |
