| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管发展历程 | 第10-12页 |
| 1.3 薄膜晶体管种类 | 第12-15页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第13页 |
| 1.3.2 低温多晶硅薄膜晶体管 | 第13-14页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 | 第14页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管 | 第14-15页 |
| 1.4 薄膜晶体管发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 薄膜晶体管基础理论 | 第17-27页 |
| 2.1 薄膜晶体管结构和工作原理 | 第17-18页 |
| 2.1.1 薄膜晶体管结构 | 第17-18页 |
| 2.1.2 薄膜晶体管工作原理 | 第18页 |
| 2.2 薄膜晶体管的基本参数 | 第18-22页 |
| 2.2.1 输出与转移特性曲线 | 第18-20页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第20页 |
| 2.2.3 迁移率 | 第20-21页 |
| 2.2.4 电流开关比 | 第21-22页 |
| 2.2.5 亚阈值斜率 | 第22页 |
| 2.3 薄膜晶体管材料选择 | 第22-25页 |
| 2.3.1 半导体层材料 | 第22-23页 |
| 2.3.2 绝缘层材料 | 第23-25页 |
| 2.3.3 电极材料 | 第25页 |
| 2.4 薄膜的分析表征 | 第25-26页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第25页 |
| 2.4.2 介电性能分析 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 薄膜晶体管器件的制备及研究 | 第27-50页 |
| 3.1 实验设计 | 第27页 |
| 3.2 薄膜晶体管器件的制备及测试 | 第27-32页 |
| 3.2.1 基片清洗 | 第28页 |
| 3.2.2 绝缘层制备 | 第28-30页 |
| 3.2.3 有源层制备 | 第30页 |
| 3.2.4 金属电极制备 | 第30-31页 |
| 3.2.5 器件性能的测试 | 第31-32页 |
| 3.3 Al_2O_3绝缘层退火温度对器件性能影响的研究 | 第32-41页 |
| 3.3.1 退火温度对Al_2O_3薄膜电学特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.2 退火温度对Al_2O_3薄膜结晶性影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3 不同退火温度下Al_2O_3薄膜表面形貌 | 第35-36页 |
| 3.3.4 基于Al_2O_3不同退火温度下Pentacene薄膜形貌 | 第36-37页 |
| 3.3.5 退火温度对器件性能的影响 | 第37-41页 |
| 3.4 修饰Al_2O_3绝缘层对器件性能影响的研究 | 第41-48页 |
| 3.4.1 聚合物修饰对绝缘层电学特性的影响 | 第41-43页 |
| 3.4.2 聚合物修饰对绝缘层表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 3.4.3 聚合物修饰绝缘层对Pentacene薄膜形貌的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.4 聚合物修饰绝缘层对器件性能的影响 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 燃烧法低温制备薄膜晶体管器件 | 第50-58页 |
| 4.1 实验设计 | 第51页 |
| 4.2 燃烧法对绝缘层电学特性的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 燃烧法对绝缘层表面形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 基于燃烧法制备绝缘层对Pentacene形貌的影响 | 第54页 |
| 4.5 基于燃烧法制备绝缘层对器件性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 硕士期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
