摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 过渡金属氧化物界面 | 第11-14页 |
1.2 过渡金属氧化物界面的电子重构 | 第14-17页 |
1.3 SrTiO3导电表面的能带结构研究 | 第17-22页 |
1.4 论文内容 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-26页 |
第2章 LaAlO3/SrTiO3,LaVO3/SrTiO3界面的制备与表征 | 第26-40页 |
2.1 脉冲激光沉积技术(PLD) | 第26-29页 |
2.1.1 PLD设备 | 第26-27页 |
2.1.2 PLD原理 | 第27-28页 |
2.1.3 PLD优劣势 | 第28-29页 |
2.2 反射高能电子衍射仪(RHEED) | 第29-32页 |
2.2.1 RHEED基本原理 | 第30-31页 |
2.2.2 RHEED在表面分析中的作用 | 第31-32页 |
2.3 SrTiO3表面处理 | 第32-33页 |
2.4 LaAlO3/SrTiO3和LaVO3/SrTiO3界面的PLD生长 | 第33-36页 |
2.5 界面外延质量的表征 | 第36-39页 |
参考文献 | 第39-40页 |
第3章 原胞尺度的LaAlO3薄膜的光伏效应 | 第40-59页 |
3.1 极性/非极性结构中的电子重构 | 第40-43页 |
3.2 内建电场的测量 | 第43-45页 |
3.3 LaAlO3/SrTiO3的光伏效应 | 第45-55页 |
3.3.1 光伏效应的模型 | 第45-47页 |
3.3.2 光伏效应的测量 | 第47-50页 |
3.3.3 其它光伏效应的排除 | 第50-53页 |
3.3.4 讨论 | 第53-55页 |
3.4 小结 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第4章 基于SrTiO3的界面的弱局域化研究 | 第59-93页 |
4.1 自旋轨道耦合 | 第59-61页 |
4.2 自旋弛豫(spin relaxation) | 第61-63页 |
4.3 反弱局域化 | 第63-66页 |
4.4 氧化物界面的自旋轨道耦合 | 第66-70页 |
4.5 氧化物界面的反弱局域化研究 | 第70-89页 |
4.5.1 氧化物的场效应管器件 | 第71-76页 |
4.5.2 反弱局域化的测量 | 第76-78页 |
4.5.3 载流子浓度的测定 | 第78-80页 |
4.5.4 WAL的定量分析 | 第80-88页 |
4.5.5 输运性质与能带的对应 | 第88-89页 |
4.6 小结 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-93页 |
致谢 | 第93-94页 |
在读期间发表的学术论文 | 第94页 |