三维堆叠封装硅通孔热机械可靠性分析
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 封装技术发展研究 | 第9-11页 |
| 1.2 硅通孔互连技术发展现状 | 第11-13页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2 热结构耦合分析基础理论及研究方法 | 第15-25页 |
| 2.1 热分析理论基础 | 第15-16页 |
| 2.2 热传递类型 | 第16-18页 |
| 2.3 三类基本边界条件及初始条件 | 第18页 |
| 2.4 热-结构耦合分析理论 | 第18-22页 |
| 2.5 本文研究方法 | 第22-25页 |
| 3 硅通孔技术关键工艺研究 | 第25-30页 |
| 3.1 TSV技术研究 | 第25-26页 |
| 3.2 Cu TSV制作过程 | 第26-28页 |
| 3.3 硅通孔电镀铜铜柱力学性能纳米压痕测试 | 第28-30页 |
| 4 硅通孔热机械可靠性分析 | 第30-45页 |
| 4.1 电镀铜不同材料属性对硅通孔热应力的影响 | 第30-37页 |
| 4.2 二维模型和三维模型下热应力的分析比较 | 第37-40页 |
| 4.3 硅通孔不同排列模式对热应力的影响 | 第40-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 硅通孔三维芯片堆叠封装的热应力设计分析 | 第45-62页 |
| 5.1 探究二维模型图热应力的可行性 | 第45-50页 |
| 5.2 硅通孔三维芯片堆叠封装热应力仿真分析 | 第50-58页 |
| 5.3 结构参数对热机械可靠性的影响 | 第58-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 6 总结与展望 | 第62-63页 |
| 6.1 全文总结 | 第62页 |
| 6.2 研究展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
