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高κ钙钛矿氧化物栅介质元素半导体MOSFETs器件理论研究

致谢第3-4页
摘要第4-5页
abstract第5-6页
变量注释表第12-13页
1 绪论第13-20页
    1.1 选题背景第13-15页
    1.2 理论基础第15-18页
    1.3 主要研究工作第18-19页
    1.4 论文内容安排第19-20页
2 Si和LaAlO_3异质结的稳定性和带阶第20-29页
    2.1 前言第20页
    2.2 方法第20-22页
    2.3 结果与讨论第22-28页
    2.4 小结第28-29页
3 Ge/SrTiO_3(001)异质结构和电子性质第29-40页
    3.1 前言第29页
    3.2 计算方法第29-31页
    3.3 干净和缺陷SrTiO_3(001)表面第31-37页
    3.4 Ge/SrTiO_3异质界面第37-39页
    3.5 小结第39-40页
4 结论第40-41页
参考文献第41-47页
作者简历第47-49页
学位论文数据集第49页

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