| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 真空微电子技术 | 第10-12页 |
| 1.2 场发射理论 | 第12-17页 |
| 1.2.1 场发射相关概念 | 第12-15页 |
| 1.2.2 场发射原理 | 第15-17页 |
| 1.3 场发射阴极 | 第17-28页 |
| 1.3.1 场发射阴极应用 | 第17-18页 |
| 1.3.2 场发射平板显示器类型 | 第18-22页 |
| 1.3.3 场发射阴极材料的发展 | 第22-23页 |
| 1.3.4 各种场发射阴极制备方法 | 第23-28页 |
| 1.4 本研究的目的和内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 NI 基纳米针阵列的制备方法及原理 | 第36-46页 |
| 2.1 电沉积与定向电结晶原理 | 第36-41页 |
| 2.1.1 电沉积基本原理 | 第36-37页 |
| 2.1.2 金属的电沉积过程 | 第37-38页 |
| 2.1.3 影响电沉积层质量的因素 | 第38-40页 |
| 2.1.4 电沉积方法的优点 | 第40页 |
| 2.1.5 定向电结晶基本原理 | 第40-41页 |
| 2.2 定向电结晶制备NI 基纳米针阵列 | 第41-43页 |
| 2.2.1 定向电结晶液的配制和实验装置 | 第41-42页 |
| 2.2.2 基片预处理 | 第42-43页 |
| 2.2.3 Ni 基纳米针阵列的制备 | 第43页 |
| 2.3 NI 基纳米针阵列上ALN 薄膜的制备 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 不同条件下NI 基纳米针阵列的形貌 | 第46-61页 |
| 3.1 磁场及超声波对CU基片生长NI 基纳米针阵列形貌的影响 | 第46-49页 |
| 3.2 基片对NI 基纳米针阵列形貌的影响 | 第49-50页 |
| 3.3 电流密度对溅射CU玻璃基片生长NI 基纳米针阵列形貌的影响 | 第50-52页 |
| 3.4 电结晶时间对溅射CU玻璃基片生长NI 基纳米针阵列形貌的影响 | 第52-55页 |
| 3.5 溅射ALN 薄膜对NI 基纳米针阵列形貌的影响 | 第55-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第四章 NI 基纳米针阵列的场发射性能 | 第61-73页 |
| 4.1 实验设备及方法 | 第61-62页 |
| 4.2 CU基片生长NI 基纳米针阵列的场发射性能 | 第62-64页 |
| 4.3 溅射CU玻璃基片生长NI 基纳米针阵列场发射性能 | 第64-67页 |
| 4.3.1 沉积时间对Ni 基纳米针阵列场发射性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.4 溅射ALN 薄膜对NI 基纳米针阵列场发射性能的影响 | 第67-70页 |
| 4.4.1 溅射AlN 薄膜对Ni 基纳米针阵列场发射性能的影响 | 第68-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 结论及展望 | 第73-76页 |
| 5.1 结论 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-79页 |
