高速大功率半导体开关RSD的开通特性研究

摘要	第4-5页
ABSTRACT	第5页
1 绪 论	第9-15页
1.1 引 言	第9-10页
1.2 脉冲功率系统中开关元件的发展	第10-11页
1.3 新开通原理的半导体开关器件	第11-14页
1.4 本课题研究内容	第14-15页
2 RSD的基本工作原理	第15-28页
2.1 引言	第15-16页
2.2 借助可控等离子层换流的原理	第16-18页
2.3 RSD的开通过程	第18-23页
2.4 RSD脉冲发生电路	第23-27页
2.5 小结	第27-28页
3 RSD开通特性研究	第28-51页
3.1 预充电荷对RSD开通特性的影响	第28-36页
3.2 RSD开通电压特性研究	第36-44页
3.3 RSD的非均匀导通	第44-48页
3.4 RSD阴极短路点设计	第48-50页
3.5 小结	第50-51页
4 RSD工艺实验研究	第51-59页
4.1 工艺流程	第51-52页
4.2 改进RSD特性的工艺措施	第52-54页
4.3 实验结果分析	第54-56页
4.4 RSD堆及芯片电参数	第56-58页
4.5 小结	第58-59页
5 结 论	第59-60页
致 谢	第60-62页
参考文献	第62-65页
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文目录	第65页