| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 SECM的发展概况 | 第13-14页 |
| 1.2 SECM的实验装置 | 第14-16页 |
| 1.3 SECM的工作原理 | 第16-19页 |
| 1.4 SECM的工作模式 | 第19-21页 |
| 1.5 SECM在微区加工中的应用 | 第21-31页 |
| 1.5.1 SECM在微区沉积中的应用 | 第21-29页 |
| 1.5.2 SECM在微区刻蚀中的应用 | 第29-31页 |
| 1.6 本论文的研究目的与意义 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-39页 |
| 第二章 实验部分 | 第39-45页 |
| 2.1 实验试剂及基体 | 第39-40页 |
| 2.1.1 化学试剂 | 第39页 |
| 2.1.2 实验用基体及表面前处理 | 第39-40页 |
| 2.1.3 二茂铁甲醇溶液配制 | 第40页 |
| 2.1.4 铂沉积液的配制 | 第40页 |
| 2.1.5 ITO刻蚀液的配制 | 第40页 |
| 2.2 实验用SECM装置 | 第40-43页 |
| 2.2.1 探针 | 第40-41页 |
| 2.2.2 SECM装置 | 第41-43页 |
| 2.3 表征方法 | 第43-45页 |
| 2.3.1 循环伏安(CV)测试 | 第43页 |
| 2.3.2 逼近曲线(Approach Curve) | 第43页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第43页 |
| 2.3.4 沉积膜厚度及刻蚀深度测试 | 第43页 |
| 2.3.5 线性扫描伏安(LSV)测试 | 第43-44页 |
| 2.3.6 SECM基底产生-探针收集(SG-TC)模式测试 | 第44-45页 |
| 第三章 基于SECM直接模式实现金属铂的微区可控沉积 | 第45-65页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 实验内容及方法 | 第46-47页 |
| 3.2.1 微区电沉积金属铂的方法 | 第46-47页 |
| 3.2.2 微区沉积的影响因素 | 第47页 |
| 3.2.3 微区沉积膜层的表征 | 第47页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第47-61页 |
| 3.3.1 铂超微电极的表征 | 第47-49页 |
| 3.3.2 不同电位对微区沉积金属铂的影响 | 第49-53页 |
| 3.3.3 不同时间对微区沉积金属铂的影响 | 第53-56页 |
| 3.3.4 不同氯铂酸浓度对微区沉积金属铂的影响 | 第56-59页 |
| 3.3.5 利用SECM的SG-TC模式测试铂微区沉积层的析氢性能 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 第四章 基于SECM直接模式全电位范围微区刻蚀ITO玻璃 | 第65-75页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验内容及方法 | 第66-67页 |
| 4.2.1 微区刻蚀ITO的方法 | 第66页 |
| 4.2.2 微区刻蚀的测试条件 | 第66页 |
| 4.2.3 微区刻蚀膜层的表征 | 第66-67页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第67-71页 |
| 4.3.1 全电位范围微区刻蚀的实现 | 第67-70页 |
| 4.3.2 全电位范围微区刻蚀机理 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 5.1 总结 | 第75页 |
| 5.2 展望 | 第75-77页 |
| 附录 | 第77页 |
