| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 忆阻器的理论基础及物理模型 | 第11-15页 |
| 1.2 忆阻器的结构与机理分析 | 第15-24页 |
| 1.2.1 忆阻器的结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 忆阻器的机理分析 | 第16-24页 |
| 1.3 忆阻器的基本特性及其应用 | 第24-26页 |
| 1.3.1 忆阻器的数字与模拟特性 | 第24页 |
| 1.3.2 忆阻器数字特性的应用 | 第24-25页 |
| 1.3.3 忆阻器模拟特性的应用 | 第25-26页 |
| 1.4 基于忆阻器模拟/数字共存表达的研究现状 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文的立意及研究内容 | 第28-31页 |
| 2 忆阻器制备与测试分析方法 | 第31-39页 |
| 2.1 引言 | 第31-33页 |
| 2.1.1 磁控溅射制备薄膜的基本原理 | 第31-32页 |
| 2.1.2 制备金属/导电氧化物点接触忆阻器的工艺流程 | 第32-33页 |
| 2.2 材料分析测试方法 | 第33-35页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第33-34页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱 | 第34页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第34-35页 |
| 2.3 忆阻器性能的测试方法 | 第35-39页 |
| 2.3.1 忆阻器数字特性的测试方法 | 第36-37页 |
| 2.3.2 忆阻器模拟特性的测试方法 | 第37-39页 |
| 3 基于惰性金属/ITO忆阻器的研究 | 第39-53页 |
| 3.1 惰性电极/ITO点接触结构忆阻器的制备 | 第39页 |
| 3.2 惰性金属/ITO忆阻器的数字特性 | 第39-43页 |
| 3.2.1 (Pt，Ag)/ITO忆阻器的阻变存储行为研究 | 第39-40页 |
| 3.2.2 电学参数对于Ag/ITO忆阻器的阻变存储行为的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.3 电极尺寸对于Ag/ITO忆阻器的阻变存储行为的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 惰性金属/ITO忆阻器的阻变机理分析 | 第43-45页 |
| 3.4 室温沉积下Ag/ITO忆阻器的模拟特性 | 第45-52页 |
| 3.4.1 Ag/ITO忆阻器在直流模式下的电流变化 | 第46-49页 |
| 3.4.2 Ag/ITO忆阻器的数据保留衰减特性 | 第49-50页 |
| 3.4.3 Ag/ITO忆阻器的在脉冲模式下的电流变化 | 第50-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 基于活性金属/ITO忆阻器的研究 | 第53-71页 |
| 4.1 活性电极/ITO点接触结构忆阻器的制备 | 第53页 |
| 4.2 室温沉积下的活性金属/ITO忆阻器的研究 | 第53-60页 |
| 4.2.1 (Al，Cr，Sm)/ITO忆阻器的阻变存储行为研究 | 第53-56页 |
| 4.2.2 室温沉积Al/ITO忆阻器的界面分析 | 第56-58页 |
| 4.2.3 室温沉积Al/ITO忆阻器的阻变机理分析 | 第58-60页 |
| 4.3 真空退火后的活性金属/ITO忆阻器的研究 | 第60-65页 |
| 4.3.1 真空退火处理Al/ITO忆阻器的阻变存储行为研究 | 第60-62页 |
| 4.3.2 真空退火处理后Al/ITO忆阻器的界面分析 | 第62-63页 |
| 4.3.3 真空退火Al/ITO忆阻器的阻变机理分析 | 第63-65页 |
| 4.4 室温沉积下的活性金属/ITO忆阻器的模拟特性 | 第65-69页 |
| 4.4.1 Al/ITO忆阻器在直流模式下的电流变化 | 第65-67页 |
| 4.4.2 恒定电场作用下Al/ITO忆阻器的电流变化 | 第67-68页 |
| 4.4.3 Al/ITO忆阻器的数据保留衰减特性 | 第68页 |
| 4.4.4 Al/ITO忆阻器在在脉冲模式下的电流变化 | 第68-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 5 基于活性金属/Nb:Sr TiO_3忆阻器的研究 | 第71-88页 |
| 5.1 室温沉积下的活性金属/Nb:Sr TiO_3忆阻器的研究 | 第71-76页 |
| 5.1.1 (Al，Ti)/Nb:Sr TiO_3忆阻器的阻变存储行为研究 | 第71-73页 |
| 5.1.2 电学参数对Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器阻变存储行为的影响 | 第73-74页 |
| 5.1.3 电极尺寸对Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器阻变存储行为的影响 | 第74-75页 |
| 5.1.4 Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的界面分析 | 第75-76页 |
| 5.2 真空退火后的活性金属/Nb:Sr TiO_3忆阻器的研究 | 第76-80页 |
| 5.2.1 真空退火处理Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的阻变存储行为研究 | 第76-78页 |
| 5.2.2 真空退火处理Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的界面分析 | 第78页 |
| 5.2.3 真空退火Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的阻变机理分析 | 第78-80页 |
| 5.3 室温沉积下的Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的模拟特性 | 第80-87页 |
| 5.3.1 Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器在直流模式下的电流变化 | 第80-82页 |
| 5.3.2 恒定电场作用下Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的电流变化 | 第82-83页 |
| 5.3.3 Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器的数据保留衰减特性 | 第83页 |
| 5.3.4 Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器在脉冲模式下的电流变化 | 第83-85页 |
| 5.3.5 Al/Nb:Sr TiO_3忆阻器在输入三角波信号后的电流变化 | 第85-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 结论 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-100页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第100页 |
