| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 金刚石概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1 金刚石的结构与性质 | 第11-13页 |
| 1.1.2 金刚石膜的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.2 掺氮超纳米金刚石薄膜（N-UNCD） | 第15-22页 |
| 1.2.1 UNCD薄膜概述 | 第15页 |
| 1.2.2 UNCD薄膜的MPCVD生长机理 | 第15-18页 |
| 1.2.3 UNCD薄膜的氮掺杂 | 第18-19页 |
| 1.2.4 N-UNCD薄膜生长的影响因素 | 第19-20页 |
| 1.2.5 N-UNCD薄膜的性能 | 第20-22页 |
| 1.3 研究背景、意义及内容 | 第22-25页 |
| 1.3.1 研究背景和研究意义 | 第22-23页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第23-25页 |
| 2 实验 | 第25-34页 |
| 2.1 实验原料、仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验原料与试剂 | 第25页 |
| 2.1.2 实验使用仪器 | 第25-26页 |
| 2.2 N-UNCD薄膜制备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 N-UNCD薄膜制备装置 | 第26-27页 |
| 2.2.2 基片预处理 | 第27页 |
| 2.2.3 N-UNCD薄膜制备工艺参数 | 第27-28页 |
| 2.3 N-UNCD的结构表征方法 | 第28-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第28-29页 |
| 2.3.2 扫描电子显微分析 | 第29页 |
| 2.3.4 拉曼光谱分析 | 第29-30页 |
| 2.4 电化学性能测试 | 第30-34页 |
| 2.4.1 循环伏安法（CV, Cyclic Voltammetry） | 第30-31页 |
| 2.4.2 恒电流充放电测试（GCD, Galvanostatic Charge- Discharge） | 第31页 |
| 2.4.3 电化学阻抗技术（EIS Technology） | 第31-32页 |
| 2.4.4 差分脉冲伏安法（DPV, Differential Pulse Voltammetry） | 第32-34页 |
| 3 N-UNCD薄膜结构与成分分析 | 第34-39页 |
| 3.1 SEM表征 | 第34-35页 |
| 3.2 Raman表征 | 第35-37页 |
| 3.3 XRD表征 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 N-UNCD薄膜电化学性能 | 第39-48页 |
| 4.1 电化学活性 | 第39-41页 |
| 4.2 电容性质 | 第41-46页 |
| 4.3 交流阻抗 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 N-UNCD薄膜电化学检测应用 | 第48-56页 |
| 5.1 N-UNCD检测DA | 第48-51页 |
| 5.2 N-UNCD检测AA | 第51-53页 |
| 5.3 N-UNCD检测铜离子（Cu~(2+)） | 第53-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 | 第68页 |
