WO3纳米材料的制备及其性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化钨纳米结构 | 第10-12页 |
| 1.3 氧化钨器件的应用及发展 | 第12-13页 |
| 1.3.1 电致变色器件的应用 | 第12页 |
| 1.3.2 热控器件的应用 | 第12页 |
| 1.3.3 气体传感器的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.4 催化剂的应用 | 第13页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第13-15页 |
| 2 氧化钨纳米材料生长方法与表征方法 | 第15-30页 |
| 2.1 纳米材料生长方法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 直接气-固法 | 第15-16页 |
| 2.1.2 金属催化法 | 第16-17页 |
| 2.1.3 模板辅助合成法 | 第17页 |
| 2.2 纳米材料的表征方法 | 第17-20页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜(TEM) | 第17-18页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第18页 |
| 2.2.3 X射线能量色散谱(EDS) | 第18-19页 |
| 2.2.4 X射线衍射(XRD) | 第19页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第19-20页 |
| 2.3 生长过程中氧化钨纳米结构的多样性 | 第20-29页 |
| 2.3.1 氧化钨的一维纳米结构 | 第20-25页 |
| 2.3.2 氧化钨的二维纳米结构 | 第25-27页 |
| 2.3.3 氧化钨的复杂纳米结构 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 三氧化钨纳米材料的制备及表征 | 第30-46页 |
| 3.1 三氧化物纳米线的制备 | 第30-37页 |
| 3.1.1 实验设备 | 第30-32页 |
| 3.1.2 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.1.3 气体对三氧化钨纳米线的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.4 温度对三氧化钨纳米线的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 三氧化物纳米线的表征 | 第37-38页 |
| 3.3 三氧化钨纳米薄膜的制备 | 第38-41页 |
| 3.3.1 实验设备 | 第39页 |
| 3.3.2 实验过程 | 第39-41页 |
| 3.4 三氧化钨纳米薄膜的表征 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 三氧化钨纳米材料的性能研究 | 第46-64页 |
| 4.1 三氧化钨纳米线的性能研究 | 第46-55页 |
| 4.1.1 三氧化钨纳米线的光电响应 | 第47-51页 |
| 4.1.2 三氧化钨纳米线对NO_2的气敏特性 | 第51-54页 |
| 4.1.3 三氧化钨纳米线对O_2的气敏特性 | 第54-55页 |
| 4.2 三氧化钨纳米薄膜的性能研究 | 第55-63页 |
| 4.2.1 不同气氛对三氧化钨纳米薄膜的影响 | 第56-59页 |
| 4.2.2 退火对三氧化钨纳米薄膜的影响 | 第59-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
