| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 背景介绍 | 第11-13页 |
| 1.2 用于全光信号处理的半导体器件 | 第13-14页 |
| 1.3 MMI耦合器和基于MMI耦合器的波分复用/解复用器 | 第14-19页 |
| 1.3.1 MMI耦合器 | 第15-17页 |
| 1.3.2 基于MMI耦合器的波分复用/解复用器 | 第17-19页 |
| 1.4 全光模数转换器 | 第19-24页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-32页 |
| 第二章 多模干涉耦合器的研究 | 第32-63页 |
| 2.1 多模干涉耦合器的工作原理 | 第32-40页 |
| 2.1.1 自镜像效应 | 第32-35页 |
| 2.1.2 普通干涉机制 | 第35-37页 |
| 2.1.3 受限干涉机制 | 第37-39页 |
| 2.1.4 MMI耦合器的主要性能指标 | 第39-40页 |
| 2.2 InP基3-dB MMI耦合器 | 第40-58页 |
| 2.2.1 理论设计及工艺制作 | 第41-50页 |
| 2.2.2 工艺容差分析 | 第50-54页 |
| 2.2.3 工艺制作 | 第54-55页 |
| 2.2.4 测试及分析 | 第55-58页 |
| 2.3 基于SOI的3-dB MMI耦合器 | 第58-60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第三章 基于边入射多模干涉耦合器的波分复用/解复用器研究 | 第63-91页 |
| 3.1 SP-MMI耦合器型1.31/1.55μm波分复用/解复用器的工作原理 | 第63-67页 |
| 3.1.1 SP-MMI耦合器 | 第63-65页 |
| 3.1.2 SP-MMI型1.31/1.55μm波分复用/解复用器的工作原理 | 第65-67页 |
| 3.1.3 1.31/1.55 m波分解复用器的主要性能指标 | 第67页 |
| 3.2 Si基深脊刻蚀结构SP-MMI型1.31/1.55μm波分复用/解复用器 | 第67-78页 |
| 3.2.1 器件结构设计 | 第68-73页 |
| 3.2.2 工艺制作 | 第73-75页 |
| 3.2.3 器件测试及结果分析 | 第75-78页 |
| 3.3 InP基1.31/1.55μm波分复用/解复用器 | 第78-89页 |
| 3.3.1 GI-MMI型非对称变脊宽输出结构1.31/1.55μm波分解复用器 | 第79-85页 |
| 3.3.2 SP-MMI型1.31/1.55μm波分复用/解复用器 | 第85-89页 |
| 3.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第四章 基于多模干涉耦合器的全光模数转换器 | 第91-117页 |
| 4.1 基于4×4MMI耦合器的全光模数转换器 | 第91-99页 |
| 4.1.1 工作原理介绍 | 第91-94页 |
| 4.1.2 量化精度扩展 | 第94-99页 |
| 4.2 性能分析 | 第99-106页 |
| 4.2.1 衡量全光ADC性能的主要参数指标 | 第100-102页 |
| 4.2.2 移相误差对系统性能的影响 | 第102-104页 |
| 4.2.3 耦合器功率分配系数不均匀性及采样脉冲幅度抖动对系统性能的影响 | 第104-106页 |
| 4.2.4 带宽分析 | 第106页 |
| 4.3 高位可扩展全光移相ADC | 第106-112页 |
| 4.3.1 基于多波长脉冲源和MMI耦合器的全光移相ADC | 第107-110页 |
| 4.3.2 基于强度调制器和MMI耦合器的全光移相ADC | 第110-112页 |
| 4.4 4×4MMI耦合器芯片的工艺制作 | 第112-114页 |
| 4.5 本章小结 | 第114页 |
| 参考文献 | 第114-117页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第117-120页 |
| 5.1 论文工作内容总结 | 第117-118页 |
| 5.2 论文工作展望 | 第118-120页 |
| 缩写词索引 | 第120-122页 |
| 攻读博士论文期间发表的学位论文和专利 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123页 |
