| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第10-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第10-11页 |
| 1.1.2 石墨烯的结构与性质 | 第11-12页 |
| 1.1.3 石墨烯的制备 | 第12-14页 |
| 1.1.4 石墨烯电学性质的调控 | 第14-17页 |
| 1.2 本课题的研究目的和意义 | 第17-18页 |
| 第二章 理论基础 | 第18-29页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 第一性原理 | 第18-22页 |
| 2.2.1 非相对论近似 | 第19页 |
| 2.2.2 绝热近似 | 第19-21页 |
| 2.2.3 单电子近似 | 第21-22页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第22-27页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第25-27页 |
| 2.3.4 赝势方法 | 第27页 |
| 2.4 程序包简介 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 石墨烯与硅基底的相互作用及其电学性能调控 | 第29-43页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-41页 |
| 3.3.1 单层石墨烯与硅基底的几何结构和结合能 | 第31-32页 |
| 3.3.2 单层石墨烯与硅基底的电学性能 | 第32-38页 |
| 3.3.3 双层石墨烯与硅基底的相互作用 | 第38-41页 |
| 3.4 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 Ni (111)上石墨烯的生长及硅插层 | 第43-53页 |
| 4.1 引言 | 第43-45页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-52页 |
| 4.3.1 graphene/Ni (111)体系 | 第45-47页 |
| 4.3.2 graphene/Si/Ni (111)插层体系 | 第47-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |