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等离子体浸没离子注入对AZO透明导电薄膜的功函数调控及其机理研究

摘要第6-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第11-39页
    1.1 前言第11-14页
    1.2 AZO透明导电薄膜背景介绍第14-20页
        1.2.1 透明导电薄膜简介第14-15页
        1.2.2 ZnO的晶体结构及基本性质第15-17页
        1.2.3 ZnO的能带结构和本征缺陷第17-19页
        1.2.4 AZO薄膜的制备方法及应用第19-20页
    1.3 有机电致发光器件简介第20-24页
        1.3.1 有机电致发光器件的研究现状第20-23页
        1.3.2 OLED的结构和原理第23-24页
    1.4 AZO薄膜表面功函数调控的研究现状第24-27页
    1.5 本论文的研究意义和研究内容第27-28页
    1.6 本章小结第28-30页
    参考文献第30-39页
第二章 等离子体浸没离子注入(PⅢ)理论及实验装置第39-67页
    2.1 PⅢ技术概述第39-41页
    2.2 PⅢ鞘层理论第41-51页
        2.2.1 德拜屏蔽第42页
        2.2.2 无碰撞鞘层模型第42-47页
            2.2.2.1 离子阵鞘层第45-46页
            2.2.2.2 蔡尔德定律鞘层第46-47页
        2.2.3 PⅢ鞘层演变过程第47-48页
        2.2.4 PⅢ离子注入剂量与注入深度第48-51页
    2.3 PⅢ实验装置第51-61页
        2.3.1 真空系统第52-53页
        2.3.2 等离子体源第53-54页
        2.3.3 负高压脉冲偏压源第54-57页
        2.3.4 手套箱超级净化系统第57-58页
        2.3.5 PⅢ的诊断设备第58-61页
            2.3.5.1 朗缪双探针第58-60页
            2.3.5.2 光谱仪第60-61页
    2.4 实验流程介绍第61-63页
    2.5 本章小结第63-64页
    参考文献第64-67页
第三章 AZO薄膜表征手段及原理第67-79页
    3.1 开尔文探针第67-69页
    3.2 X射线光电子能谱第69-71页
    3.3 X射线衍射第71-72页
    3.4 原子力显微镜第72-74页
    3.5 紫外可见分光光度计第74-75页
    3.6 四探针测试仪第75-76页
    3.7 本章小结第76-77页
    参考文献第77-79页
第四章 PⅢ参数对AZO薄膜表面功函数调控的影响第79-119页
    4.1 未经处理的AZO薄膜特性第79-82页
        4.1.1 AZO的晶体结构及表面形貌第79-80页
        4.1.2 AZO的电光学特性第80-81页
        4.1.3 AZO的表面化学成分第81-82页
    4.2 气体种类的影响第82-87页
        4.2.1 气体种类影响实验设计第82-83页
        4.2.2 气体种类影响实验的结果与讨论第83-87页
            4.2.2.1 不同气体对AZO薄膜表面功函数的影响第83-84页
            4.2.2.2 不同气体对AZO薄膜表面化学成分的影响第84-86页
            4.2.2.3 不同气体对AZO薄膜表面形貌的影响第86-87页
        4.2.3 气体种类影响小结第87页
    4.3 偏压大小的影响第87-95页
        4.3.1 偏压大小影响的实验设计第87-88页
        4.3.2 偏压大小影响实验的结果与讨论第88-95页
            4.3.2.1 不同偏压对AZO薄膜表面功函数的影响第88-89页
            4.3.2.2 不同偏压对AZO薄膜表而化学成分的影响第89-90页
            4.3.2.3 不同偏压对AZO薄膜电学性能的影响第90-91页
            4.3.2.4 不同偏压对AZO薄膜光学性能的影响第91-92页
            4.3.2.5 不同偏压对AZO薄膜晶体结构的影响第92-93页
            4.3.2.6 不同偏压对AZO薄膜表面形貌的影响第93-95页
        4.3.3 偏压大小影响小结第95页
    4.4 注入时长的影响第95-105页
        4.4.1 注入时长影响的实验设计第95-96页
        4.4.2 注入时长影响的结果与讨论第96-104页
            4.4.2.1 注入时长对AZO薄膜表面功函数的影响第96-97页
            4.4.2.2 注入时长对AZO薄膜表面化学成分的影响第97-100页
            4.4.2.3 注入时长对AZO薄膜电学性能的影响第100-101页
            4.4.2.4 注入时长对AZO薄膜光学性能的影响第101页
            4.4.2.5 注入时长对AZO薄膜晶体结构的影响第101-103页
            4.4.2.6 注入时长对AZO薄膜表面形貌的影响第103-104页
        4.4.3 注入时长影响小结第104-105页
    4.5 脉冲宽度的影响第105-114页
        4.5.1 脉冲宽度影响的实验设计第105页
        4.5.2 脉宽影响实验的结果与讨论第105-114页
            4.5.2.1 不同脉宽对AZO薄膜表面功函数的影响第105-106页
            4.5.2.2 不同脉宽对AZO薄膜表面化学成分的影响第106-109页
            4.5.2.3 不同脉宽对AZO薄膜电学性能的影响第109-110页
            4.5.2.4 不同脉宽对AZO薄膜光学性能的影响第110-112页
            4.5.2.5 不同脉宽对AZO薄膜晶体结构的影响第112-113页
            4.5.2.6 不同脉宽对AZO薄膜表面形貌的影响第113-114页
        4.5.3 脉宽宽度影响小结第114页
    4.6 本章小结第114-116页
    参考文献第116-119页
第五章 AZO功函数变化机理及处理时效性研究第119-135页
    5.1 AZO功函数变化机理讨论第119-125页
    5.2 功函数的时效性研究第125-129页
    5.3 本章小结第129-131页
    参考文献第131-135页
第六章 全文总结与展望第135-139页
    6.1 全文总结第135-137页
    6.2 未来工作展望第137-139页
在校期间科研成果第139-141页
致谢第141-143页

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