摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 长余辉材料的发展历史 | 第12-14页 |
1.3 长余辉机理及模型 | 第14-17页 |
1.3.1 导带-价带模型 | 第15-16页 |
1.3.2 隧穿模型 | 第16-17页 |
1.4 长余辉材料的研究方法 | 第17-21页 |
1.4.1 激发发射光谱及长余辉衰减曲线 | 第17-20页 |
1.4.2 热释发光光谱 | 第20页 |
1.4.3 光激励光谱 | 第20-21页 |
1.4.4 电子自旋共振谱 | 第21页 |
1.4.5 正电子湮没寿命谱 | 第21页 |
1.5 提高长余辉性能的常用方法 | 第21-25页 |
1.5.1 提高合成温度和时间 | 第21-22页 |
1.5.2 基体材料的掺杂 | 第22页 |
1.5.3 共掺杂稀土离子 | 第22-23页 |
1.5.4 光激励发光 | 第23-24页 |
1.5.5 上转换长余辉发光模型 | 第24-25页 |
1.6 本论文选题意义及主要内容 | 第25-27页 |
第2章 样品的制备及表征 | 第27-31页 |
2.1 实验药品 | 第27页 |
2.2 实验仪器与设备 | 第27-28页 |
2.3 样品制备方法 | 第28-29页 |
2.4 表征手段 | 第29-31页 |
2.4.1 物相结构分析 | 第29页 |
2.4.2 激发光谱和发射光谱 | 第29-30页 |
2.4.3 余辉衰减曲线 | 第30-31页 |
第3章 Cr~(3+)掺杂镓锡酸锌近红外长余辉材料的设计、合成和发光性能 | 第31-59页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 ZnGa_2O_4:Cr~(3+)的制备及性能优化 | 第31-43页 |
3.2.1 合成温度对样品性能影响 | 第32-36页 |
3.2.2 保温反应时间对样品性能影响 | 第36-38页 |
3.2.3 掺杂离子浓度对样品性能的影响 | 第38-41页 |
3.2.4 激发光波长对材料长余辉性能的影响 | 第41-43页 |
3.3 ZnGa_(2-x)Sn_xO_(4+x):Cr~(3+)的设计、合成及发光性能 | 第43-48页 |
3.4 基质中Zn_2SnO_4和SnO_2的引入对材料余辉性能的影响 | 第48-57页 |
3.4.1 基质中Sn的引入对合成样品余辉性能的影响 | 第48-53页 |
3.4.2 基质中SnO_2相形成后对合成样品余辉性能的影响 | 第53-57页 |
3.5 本章小结 | 第57-59页 |
第4章 Cr~(3+),Er~(3+)共掺杂长余辉材料的设计、合成和发光性能 | 第59-69页 |
4.1 引言 | 第59页 |
4.2 ZnGa_2O_4:Cr~(3+),Er~(3+)的合成和发光性能 | 第59-63页 |
4.3 Zn_3Ga_2SnO_8:Cr~(3+),Er~(3+)的合成和发光性能 | 第63-67页 |
4.4 本章小结 | 第67-69页 |
第5章 结论 | 第69-73页 |
参考文献 | 第73-80页 |
作者简介 | 第80-81页 |
致谢 | 第81页 |