| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 CMOS技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体作为沟道材料的优势 | 第10-12页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体CMOS面临的挑战 | 第12-15页 |
| 1.3.1 栅叠层 | 第12-13页 |
| 1.3.2 源漏电阻 | 第13-14页 |
| 1.3.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体与硅基集成 | 第14-15页 |
| 1.4 论文研究内容和创新点 | 第15-17页 |
| 第二章 实验材料、设备及表征方法 | 第17-27页 |
| 2.1 实验材料基本参数 | 第17-18页 |
| 2.1.1 GaSb和InGaSb外延材料 | 第17页 |
| 2.1.2 GaAs和InGaAs外延材料 | 第17-18页 |
| 2.2 实验设备及其工作原理简介 | 第18-22页 |
| 2.2.1 原子层沉积系统 | 第18-19页 |
| 2.2.2 等离子体增强化学气相沉积系统 | 第19-20页 |
| 2.2.3 离子注入机 | 第20-21页 |
| 2.2.4 快速热退火系统 | 第21-22页 |
| 2.3 材料和MOS器件表征 | 第22-26页 |
| 2.3.1 材料表征 | 第22-23页 |
| 2.3.2 MOS器件表征 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GaSb基MOSCAP界面钝化研究 | 第27-37页 |
| 3.1 GaSb基MOSCAP界面钝化综述 | 第27-30页 |
| 3.2 GaSb基MOSCAP界面钝化研究 | 第30-35页 |
| 3.2.1 实验方案 | 第30-31页 |
| 3.2.2 PMA和氟钝化处理对Al_2O_3介质和界面的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.3 氟钝化处理改善Al_2O_3介质和界面原因分析 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 Sb基pMOSFETSs器件制作与特性研究 | 第37-45页 |
| 4.1 GaSb MOSFETs制作流程及主要工艺 | 第37-39页 |
| 4.1.1 前栅和后栅工艺 | 第37-38页 |
| 4.1.2 GaSb pMOSFETs制备工艺流程 | 第38页 |
| 4.1.3 GaSb pMOSFETs电学性能 | 第38-39页 |
| 4.2 InGaSb埋沟pMOSFETs制备与表征 | 第39-42页 |
| 4.2.1 材料生长与表征 | 第39-40页 |
| 4.2.2 InGaSb埋沟器件结构 | 第40页 |
| 4.2.3 InGaSb埋沟器件制备工艺流程 | 第40-41页 |
| 4.2.4 InGaSb埋沟器件电学表征 | 第41-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-45页 |
| 第五章 GaAs离子注入与欧姆接触研究 | 第45-57页 |
| 5.1 GaAs衬底离子注入研究现状 | 第45-46页 |
| 5.2 传输线模型方法 | 第46页 |
| 5.3 Mg离子注入GaAs半绝缘衬底 | 第46-53页 |
| 5.3.1 Mg离子注入GaAs激活与欧姆接触工艺流程 | 第46-47页 |
| 5.3.2 不同激活温度和合金温度电阻值 | 第47-49页 |
| 5.3.3 欧姆接触数据总结 | 第49-50页 |
| 5.3.4 数据分析 | 第50-52页 |
| 5.3.5 离子注入退火时间对激活效果影响 | 第52-53页 |
| 5.3.6 Mg离子注入与欧姆接触总结 | 第53页 |
| 5.4 Zn离子注入GaAs半绝缘衬底 | 第53-54页 |
| 5.4.1 Zn离子注入GaAs激活与欧姆接触工艺流程^ | 第53-54页 |
| 5.4.2 不同激活温度电阻值 | 第54页 |
| 5.4.3 Zn离子注入欧姆接触的数据总结 | 第54页 |
| 5.5 Mg离子注入和Zn离子注入对比 | 第54-55页 |
| 5.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 InGaAs沟道MOSFETs器件制备与特性研究 | 第57-63页 |
| 6.1 InGaAs MOS器件研究综述 | 第57-58页 |
| 6.2 InGaAs pMOSFETs制备工艺 | 第58-59页 |
| 6.3 Be离子注入与欧姆接触 | 第59-61页 |
| 6.4 InGaAs沟道pMOSFETs电学特性 | 第61页 |
| 6.5 InGaAs nMOSFETs制备 | 第61-62页 |
| 6.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 第七章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 7.1 本文工作总结 | 第63页 |
| 7.2 未来研究展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第74页 |
