| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第2章 器件的射频工作特性理论分析 | 第12-23页 |
| 2.1 无源器件的射频特性 | 第12-17页 |
| 2.1.1 低频电路下的无源器件的理论分析 | 第12-13页 |
| 2.1.2 高频电阻 | 第13-15页 |
| 2.1.3 高频电容 | 第15-16页 |
| 2.1.4 高频电感 | 第16-17页 |
| 2.2 MOSFET器件的射频特性 | 第17-22页 |
| 2.2.1 沟道长度调制效应 | 第17页 |
| 2.2.2 短沟道效应 | 第17-21页 |
| 2.2.3 MOSFET相关电容 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 低噪声放大器的指标与理论计算 | 第23-38页 |
| 3.1 噪声及噪声系数NF的理论计算 | 第23-30页 |
| 3.1.1 噪声 | 第23-28页 |
| 3.1.2 噪声系数NF及理论计算 | 第28-30页 |
| 3.2 放大器的增益及理论计算 | 第30-36页 |
| 3.2.1 反射功率增益及理论计算 | 第30-32页 |
| 3.2.2 转换功率增益及理论计算 | 第32-34页 |
| 3.2.3 单向情况下的功率增益及理论计算 | 第34-35页 |
| 3.2.4 单向和阻抗匹配情况下的功率增益及理论计算 | 第35-36页 |
| 3.3 放大器的稳定性 | 第36-37页 |
| 3.3.1 稳定性系数 μ | 第36页 |
| 3.3.2 稳定性因子 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 基于双极型晶体管的低噪声放大器设计与仿真分析 | 第38-45页 |
| 4.1 直流分析 | 第38-39页 |
| 4.2 偏置电路 | 第39-41页 |
| 4.3 稳定性分析 | 第41-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 基于MOS管的低噪声放大器设计与仿真分析 | 第45-60页 |
| 5.1 低噪声放大器结构与分析 | 第45-51页 |
| 5.1.1 输入端并联电阻的共源放大器 | 第45-46页 |
| 5.1.2 电压并联负反馈共源放大器 | 第46-47页 |
| 5.1.3 共栅放大器 | 第47-49页 |
| 5.1.4 具有源极电感负反馈的共源放大器 | 第49-51页 |
| 5.2 低噪声放大器的设计与仿真 | 第51-57页 |
| 5.2.1 低噪声放大器的原理图及器件参数 | 第52-55页 |
| 5.2.2 仿真结果 | 第55-57页 |
| 5.3 低噪声放大器的版图设计与验证 | 第57-59页 |
| 5.3.1 低噪声放大器的版图设计 | 第57-58页 |
| 5.3.2 低噪声放大器版图的DRC验证 | 第58页 |
| 5.3.3 低噪声放大器版图的LVS验证 | 第58-59页 |
| 5.4 与其他同类型文章的比较 | 第59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |