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位相相干控制原子隧穿

中文摘要第4-6页
英文摘要第6-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 原子的冷却与囚禁第11-12页
    1.2 双驱动双阱系统的Bose-Hubbard模型第12-14页
    1.3 Floquet理论第14-16页
    1.4 NOON态第16-17页
    1.5 本文选题与主要研究内容第17-19页
第二章 位相相干控制两粒子量子隧穿第19-31页
    2.1 引言第19-20页
    2.2 高频近似下的一般解析解第20-25页
        2.2.1 准能量和Floquet态第21-23页
        2.2.2 非Floquet态第23-25页
    2.3 位相相干与两粒子量子隧穿第25-27页
    2.4 位相相干与量子开关第27-30页
    2.5 本章小结第30-31页
第三章 双驱动多粒子隧穿的相干控制第31-43页
    3.1 引言第31页
    3.2 弱耦合下的微扰解第31-37页
        3.2.1 高频近似下的准能量谱第34-35页
        3.2.2 位相相干与准能量谱第35-37页
    3.3 位相相干与隧穿几率第37-41页
    3.4 本章小结第41-43页
第四章 总结与展望第43-47页
    4.1 全文总结第43-44页
    4.2 本论文的主要创新点及科学意义第44-45页
    4.3 后续工作展望第45-47页
参考文献第47-51页
攻读硕士期间发表的论文目录第51-53页
致谢第53页

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