| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 研究内容 | 第13-14页 |
| 1.3 创新点 | 第14-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-34页 |
| 2.1 染料和含铬废水污染现状 | 第16页 |
| 2.2 染料和含铬废水的危害 | 第16-17页 |
| 2.3 染料和含铬废水的处理方法 | 第17-23页 |
| 2.3.1 染料废水的处理方法 | 第17-22页 |
| 2.3.2 含铬废水的处理方法 | 第22-23页 |
| 2.4 半导体光催化技术 | 第23-27页 |
| 2.4.1 半导体光催化技术机理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 光催化反应活性的影响因素 | 第24-27页 |
| 2.5 g-C_3N_4光催化剂的研究进展 | 第27-34页 |
| 2.5.1 氮化碳的研究背景 | 第27页 |
| 2.5.2 石墨相氮化碳的结构和制备 | 第27-28页 |
| 2.5.3 石墨相氮化碳的改性 | 第28-34页 |
| 2.5.3.1 g-C_3N_4纳米片剥离 | 第28-30页 |
| 2.5.3.2 形貌调控 | 第30-31页 |
| 2.5.3.3 金属元素掺杂 | 第31-32页 |
| 2.5.3.4 半导体复合 | 第32-34页 |
| 第三章 实验材料及方法 | 第34-38页 |
| 3.1 实验试剂与仪器 | 第34-35页 |
| 3.2 实验方法 | 第35-38页 |
| 3.2.1 g-C_3N_4复合光催化剂的制备 | 第35页 |
| 3.2.2 光催化剂结构表征 | 第35-36页 |
| 3.2.3 光催化剂性能测试 | 第36-38页 |
| 第四章 g-C_3N_4/CuS复合光催化剂的制备及表征 | 第38-48页 |
| 4.1 材料制备 | 第38-39页 |
| 4.1.1 g-C_3N_4纳米片的制备 | 第38页 |
| 4.1.2 g-C_3N_4/CuS的制备 | 第38-39页 |
| 4.2 材料表征 | 第39-46页 |
| 4.2.1 SEM分析 | 第39页 |
| 4.2.2 TEM分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 XRD分析 | 第40-41页 |
| 4.2.4 FTIR分析 | 第41-42页 |
| 4.2.5 XPS分析 | 第42-43页 |
| 4.2.6 BET分析 | 第43-44页 |
| 4.2.7 UV-Vis-DRS分析 | 第44-45页 |
| 4.2.8 PL分析 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 g-C_3N_4/CuS光催化降解甲基橙的研究 | 第48-56页 |
| 5.1 光催化性能研究 | 第48-49页 |
| 5.2 溶液初始pH的影响 | 第49-50页 |
| 5.3 共存腐殖酸(HA)的影响 | 第50-51页 |
| 5.4 自由基捕获实验 | 第51-52页 |
| 5.5 材料的稳定性及循环实验 | 第52-53页 |
| 5.6 MO在g-C_3N_4-20/CuS上的光催化降解机理 | 第53-54页 |
| 5.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第六章 g-C_3N_4-20/CuS光催化还原Cr (Ⅵ)的研究 | 第56-62页 |
| 6.1 光催化性能研究 | 第56-57页 |
| 6.2 催化剂浓度对光催化性能的影响 | 第57页 |
| 6.3 pH对光催化性能的影响 | 第57-58页 |
| 6.4 HA对光催化性能的影响 | 第58-59页 |
| 6.5 催化剂的循环使用性能 | 第59-60页 |
| 6.6 Cr (Ⅵ)在g-C_3N_4-20/CuS上的催化机理 | 第60页 |
| 6.7 本章小结 | 第60-62页 |
| 第七章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 7.1 结论 | 第62-63页 |
| 7.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-82页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间的成果 | 第82页 |
