| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 毫米波技术介绍 | 第12-15页 |
| 1.1.1 毫米波在大气中的衰减 | 第12-13页 |
| 1.1.2 毫米波电路的设计方法 | 第13-14页 |
| 1.1.3 有源器件的高频性能 | 第14-15页 |
| 1.2 硅基集成电路的研究背景 | 第15-16页 |
| 1.3 国内外研究现状及发展趋势 | 第16-24页 |
| 1.3.1 功率放大器 | 第16-20页 |
| 1.3.2 二倍频器 | 第20-24页 |
| 1.4 主要研究内容和要求达到的深度 | 第24-25页 |
| 1.5 论文的组织结构 | 第25-26页 |
| 1.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第二章 功率放大器和倍频器基础 | 第27-45页 |
| 2.1 硅基集成电路中的器件 | 第27-31页 |
| 2.1.1 电感 | 第27-28页 |
| 2.1.2 电容 | 第28页 |
| 2.1.3 变压器 | 第28-29页 |
| 2.1.4 MOSFET | 第29-31页 |
| 2.2 功率放大器的主要指标 | 第31-34页 |
| 2.2.1 增益匹配和功率匹配 | 第31-32页 |
| 2.2.2 漏极效率和PAE | 第32-33页 |
| 2.2.3 线性度 | 第33-34页 |
| 2.2.4 带宽 | 第34页 |
| 2.3 提高功率放大器性能的技术 | 第34-43页 |
| 2.3.1 拓展带宽的技术 | 第34-36页 |
| 2.3.2 增益提高技术 | 第36-39页 |
| 2.3.3 提高输出功率的技术 | 第39-42页 |
| 2.3.4 提高效率和线性化的技术 | 第42-43页 |
| 2.4 倍频器的指标及改善性能的技术 | 第43-44页 |
| 2.4.1 功率增益 | 第43-44页 |
| 2.4.2 输出功率 | 第44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 基于 0.13um SiGe BiCMOS工艺的 240GHZ倍频器设计 | 第45-58页 |
| 3.1 工艺介绍 | 第45-47页 |
| 3.1.1 工艺层 | 第46页 |
| 3.1.2 工艺器件简介 | 第46-47页 |
| 3.2 性能指标 | 第47页 |
| 3.2.1 120GHz的功率放大器指标 | 第47页 |
| 3.2.2 240GHz二倍频器指标 | 第47页 |
| 3.3 120GHZ功率放大器的设计 | 第47-54页 |
| 3.3.1 120GHz功率放大器的拓扑结构 | 第47-48页 |
| 3.3.2 120GHz功率放大器管子偏置及尺寸的选取 | 第48-49页 |
| 3.3.3 无源器件的考虑 | 第49-52页 |
| 3.3.4 120GHz功率放大器的仿真结果及版图 | 第52-54页 |
| 3.4 240GHZ二倍频器的设计 | 第54-56页 |
| 3.4.1 倍频器电路的工作原理 | 第54页 |
| 3.4.2 240GHz二倍频器的拓扑结构 | 第54-55页 |
| 3.4.3 240GHz二倍频器的偏置及管子尺寸的选取 | 第55页 |
| 3.4.4 240GHz二倍频器的仿真结果及版图 | 第55-56页 |
| 3.5 倍频器的整体仿真 | 第56-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 基于 65nm CMOS工艺的 140GHZ功率放大器设计 | 第58-82页 |
| 4.1 工艺介绍 | 第58-59页 |
| 4.1.1 工艺层 | 第58-59页 |
| 4.1.2 工艺器件 | 第59页 |
| 4.1.3 其它的约束规则 | 第59页 |
| 4.2 性能指标 | 第59-60页 |
| 4.3 三级全差分功率放大器的设计 | 第60-73页 |
| 4.3.1 电路的拓扑结构 | 第60-61页 |
| 4.3.2 电路的设计过程 | 第61页 |
| 4.3.3 MOS管尺寸的选择 | 第61-62页 |
| 4.3.4 电容交叉中和技术 | 第62-64页 |
| 4.3.5 共源共栅结构的分析 | 第64-66页 |
| 4.3.6 片上变压器设计 | 第66-67页 |
| 4.3.7 电路的ESD保护 | 第67-68页 |
| 4.3.8 版图的基本原则 | 第68页 |
| 4.3.9 电路的仿真结果及版图 | 第68-73页 |
| 4.4 四级全差分功率放大器的设计 | 第73-79页 |
| 4.4.0 功率放大器设计的考虑 | 第73-74页 |
| 4.4.1 电路的拓扑结构 | 第74页 |
| 4.4.2 电路的仿真结果及版图设计 | 第74-78页 |
| 4.4.3 电路的测试 | 第78-79页 |
| 4.5 对电路的改进 | 第79-81页 |
| 4.5.1 具有级间匹配电感的cascode功率管 | 第79-80页 |
| 4.5.2 自偏置的cascode技术 | 第80-81页 |
| 4.6 本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 5.1 总结 | 第82-83页 |
| 5.2 展望 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 附录 | 第91页 |
