| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 石墨烯 | 第10-18页 |
| 1.2.1 石墨烯的电子性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 | 第12-16页 |
| 1.2.3 石墨烯带隙的调控 | 第16-18页 |
| 1.3 超越石墨烯的二维材料 | 第18-24页 |
| 1.3.1 六角氮化硼( h-BN ) | 第18-19页 |
| 1.3.2 二维过渡金属二硫化物( TMDs ) | 第19-21页 |
| 1.3.3 硅烯、锗烯、锡烯、磷烯 | 第21-23页 |
| 1.3.4 范德华型( vdWs )异质结构 | 第23-24页 |
| 1.4 迁移率与理想的弹性强度 | 第24-26页 |
| 1.5 论文内容安排 | 第26-27页 |
| 第2章 第一原理计算方法 | 第27-37页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 绝热近似 | 第27-29页 |
| 2.3 Hartree - Fock近似 | 第29-31页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第31-36页 |
| 2.4.1 Hohenberg - Kohn定理 | 第31-32页 |
| 2.4.2 Kohn - Sham方程 | 第32-33页 |
| 2.4.3 交换关联泛函 | 第33-35页 |
| 2.4.4 求解Kohn - Sham方程的流程 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 应变调控单层硒化锡载流子迁移率的理论研究 | 第37-54页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第38-39页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第39-53页 |
| 3.3.1 单层硒化锡的稳定性和剥离的可能性 | 第39-43页 |
| 3.3.2 单层硒化锡的能带结构，有效质量和载流子迁移率 | 第43-45页 |
| 3.3.3 应变对单层硒化锡的能带结构、带隙大小的影响 | 第45-49页 |
| 3.3.4 应变对单层硒化锡的载流子迁移率的影响 | 第49-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 单层金属卤族化合物:宽带隙的准二维半导体PbI_2和BiI_3 | 第54-78页 |
| 4.1 引言 | 第54-56页 |
| 4.2 计算方法 | 第56-57页 |
| 4.3 碘化铅(PbI_2)的电子结构的应力调制与光学性质 | 第57-70页 |
| 4.3.1 块体碘化铅(PbI_2)的声子谱/电子/光学性质 | 第57-60页 |
| 4.3.2 单层碘化铅(PbI_2)的稳定性(声子谱) | 第60-61页 |
| 4.3.3 从块体到单层碘化铅(PbI_2)：直接带隙-间接带隙 | 第61-64页 |
| 4.3.4 单层碘化铅(PbI_2)的输运性质 | 第64-66页 |
| 4.3.5 单层碘化铅(PbI_2)带隙大小的应变调制 | 第66-69页 |
| 4.3.6 单层碘化铅与石墨烯的( G/PbI_2)复合结构：增强光吸收 | 第69-70页 |
| 4.4 三碘化铋( BiI_3)的电子结构与应力调控 | 第70-76页 |
| 4.4.1 单层三碘化铋( BiI_3)的晶体结构 | 第70-72页 |
| 4.4.2 单层三碘化铋( BiI_3)的电子结构 | 第72-73页 |
| 4.4.3 多层三碘化铋( BiI_3)的电子结构及其应力调控 | 第73-75页 |
| 4.4.4 单层三碘化铋和石墨烯( G/BiI_3)：对可见光吸收增强 | 第75-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第5章 在连续的石墨烯上制备宽带隙的GNR类似结构 | 第78-88页 |
| 5.1 引言 | 第78-80页 |
| 5.2 计算方法 | 第80-81页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第81-87页 |
| 5.3.1 部分弯曲石墨烯( b-Gra结构 )的能带结构 | 第81-83页 |
| 5.3.2 Rh衬底的作用 | 第83-84页 |
| 5.3.3 弯曲深度、宽度与衬底之间的间距对能隙大小的影响 | 第84-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第6章 结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第106-107页 |
