| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-41页 |
| 2.1 非易失性存储器的研究现状 | 第15-19页 |
| 2.1.1 铁电存储器 | 第15-16页 |
| 2.1.2 磁阻存储器 | 第16-17页 |
| 2.1.3 相变存储器 | 第17-18页 |
| 2.1.4 阻变存储器 | 第18页 |
| 2.1.5 不同非易失性存储技术性能比较 | 第18-19页 |
| 2.2 阻变存储器和电阻开关特性 | 第19-34页 |
| 2.2.1 电阻开关特性分类 | 第19-21页 |
| 2.2.2 阻变存储器阻变机理 | 第21-28页 |
| 2.2.3 阻变存储器关键性能参数 | 第28-30页 |
| 2.2.4 阻变存储器材料及研究现状 | 第30-33页 |
| 2.2.5 阻变存储器的制备方法 | 第33-34页 |
| 2.3 原子层沉积技术和等离子体增强原子层沉积技术 | 第34-38页 |
| 2.3.1 原子层沉积和等离子体增强原子层沉积技术特点 | 第34-38页 |
| 2.3.2 原子层沉积技术在ReRAM领域的应用 | 第38页 |
| 2.4 立题依据与主要研究内容 | 第38-41页 |
| 2.4.1 立题依据 | 第38-39页 |
| 2.4.2 主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第三章 实验过程及测试方法 | 第41-49页 |
| 3.1 器件制备设备简介 | 第41-44页 |
| 3.1.1 原子层沉积系统 | 第41-44页 |
| 3.1.2 高真空复合镀膜系统 | 第44页 |
| 3.2 器件制备流程 | 第44-46页 |
| 3.2.1 衬底选择和清洗 | 第45页 |
| 3.2.2 底电极制备 | 第45页 |
| 3.2.3 阻变介质层材料制备 | 第45页 |
| 3.2.4 顶电极制备 | 第45-46页 |
| 3.3 测试及表征方法 | 第46-49页 |
| 3.3.1 材料测试和表征 | 第46-47页 |
| 3.3.2 器件测试和表征 | 第47-49页 |
| 第四章 ALD制备ZnO薄膜及基本性能研究 | 第49-67页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 Thermal ALD制备ZnO薄膜 | 第49-53页 |
| 4.2.1 Thermal ALD-ZnO薄膜制备过程研究 | 第49-51页 |
| 4.2.2 DEZn注入时间对Thermal ALD-ZnO薄膜生长速率的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.3 衬底温度对Thermal ALD-ZnO薄膜生长速率的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 PEALD制备ZnO薄膜 | 第53-56页 |
| 4.3.1 PEALD-ZnO薄膜制备过程研究 | 第53-56页 |
| 4.3.2 衬底温度对PEALD-ZnO薄膜生长速率的影响 | 第56页 |
| 4.4 Thermal ALD-ZnO薄膜的结构和性能 | 第56-61页 |
| 4.4.1 Thermal ALD-ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌 | 第56-59页 |
| 4.4.2 Thermal ALD-ZnO薄膜的电学和光学性能 | 第59-61页 |
| 4.5 PEALD-ZnO薄膜的结构和性能 | 第61-64页 |
| 4.5.1 PEALD-ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌 | 第61-63页 |
| 4.5.2 PEALD-ZnO薄膜的电学和光学性能 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 PEALD-ZnO基阻变存储器电阻开关特性研究 | 第67-79页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 Al/ZnO/Pt器件的制备 | 第67-68页 |
| 5.3 不同Al/ZnO/Pt器件Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第68-69页 |
| 5.4 Al/PEALD-ZnO/Pt阻变存储器电阻开关特性研究 | 第69-73页 |
| 5.5 Al/PEALD-ZnO/Pt阻变存储器阻变机理分析 | 第73-76页 |
| 5.6 ZnO薄膜厚度对阻变存储器性能的影响 | 第76-77页 |
| 5.7 本章小结 | 第77-79页 |
| 第六章 氧等离子体处理对ZnO基阻变存储器电阻开关特性的影响 | 第79-91页 |
| 6.1 引言 | 第79页 |
| 6.2 氧等离子体处理工艺 | 第79-82页 |
| 6.2.1 原位氧等离子体处理工艺 | 第80-81页 |
| 6.2.2 非原位氧等离子体处理工艺 | 第81页 |
| 6.2.3 氧等离子体处理对ZnO表面粗糙度的影响 | 第81-82页 |
| 6.3 氧等离子体对Al/ZnO/Pt器件电阻开关特性的影响 | 第82-87页 |
| 6.4 氧等离子体缺陷调控与器件电阻开关特性研究 | 第87-89页 |
| 6.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 第七章 PEALD制备AlN薄膜及其电阻开关特性研究 | 第91-105页 |
| 7.1 引言 | 第91页 |
| 7.2 PEALD-AlN薄膜制备和性能研究 | 第91-95页 |
| 7.2.1 PEALD制备AlN薄膜 | 第91-92页 |
| 7.2.2 PEALD-AlN薄膜的晶体结构和化学组成 | 第92-95页 |
| 7.3 Cu/PELAD-AlN/Pt阻变存储器电阻开关特性研究 | 第95-98页 |
| 7.4 Cu/PELAD-AlN/Pt阻变存储器阻变机理分析 | 第98-102页 |
| 7.5 AlN基Cross-bar器件阵列的制备及其电阻开关特性研究 | 第102-104页 |
| 7.5.1 Cross-bar器件阵列的制备 | 第102-103页 |
| 7.5.2 Cross-bar器件阵列的电阻开关特性 | 第103-104页 |
| 7.6 本章小结 | 第104-105页 |
| 第八章 原子层掺杂对AlN基阻变存储器电阻开关特性的影响 | 第105-119页 |
| 8.1 引言 | 第105页 |
| 8.2 Cu/PEALD-AlN/Pt器件电激活过程分析 | 第105-107页 |
| 8.3 原子层掺杂工艺 | 第107-109页 |
| 8.3.1 PEALD制备单原子层TiO_xN_y | 第107-108页 |
| 8.3.2 PEALD制备AlN：Ti薄膜 | 第108-109页 |
| 8.4 原子层掺杂对Cu/AlN/Pt电阻开关特性的影响 | 第109-115页 |
| 8.5 Cu/AlN：Ti/Pt器件阻变机理分析 | 第115-117页 |
| 8.6 本章小结 | 第117-119页 |
| 第九章 全文总结 | 第119-123页 |
| 参考文献 | 第123-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 个人简历 | 第139-141页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第141-142页 |
