阵列波导光栅的偏振补偿和损耗均匀化研究
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 1 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 全光路由器 | 第13-18页 |
| 1.3 波分复用技术 | 第18-20页 |
| 1.4 AWG偏振特性研究背景 | 第20-23页 |
| 1.5 通道循环AWG损耗均匀化研究背景 | 第23-29页 |
| 1.6 本文的章节安排和创新点 | 第29-31页 |
| 1.6.1 章节安排 | 第29-30页 |
| 1.6.2 创新点 | 第30-31页 |
| 2 阵列波导光栅的基本原理 | 第31-53页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 光波导基本理论 | 第31-33页 |
| 2.2.1 平板波导的高斯场近似 | 第31-32页 |
| 2.2.2 条形波导等效折射率法 | 第32-33页 |
| 2.3 阵列波导光栅基本原理 | 第33-38页 |
| 2.4 阵列波导光栅的特性与关键参数 | 第38-39页 |
| 2.5 AWG的模拟仿真 | 第39-42页 |
| 2.6 阵列波导光栅的设计过程 | 第42页 |
| 2.7 基于不同材料平台的阵列波导光栅 | 第42-52页 |
| 2.7.1 硅基二氧化硅波导平台 | 第43-45页 |
| 2.7.2 SU-8聚合物波导平台 | 第45-47页 |
| 2.7.3 SOI硅纳米线波导平台 | 第47-50页 |
| 2.7.4 磷化铟波导平台 | 第50-51页 |
| 2.7.5 氮化硅及氮氧化硅波导平台 | 第51页 |
| 2.7.6 平台材料对比总结 | 第51-52页 |
| 2.8 本章小结 | 第52-53页 |
| 3 阵列波导光栅偏振补偿特性的研究 | 第53-75页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 倾斜罗兰圆结构设计原理 | 第53-56页 |
| 3.3 偏振补偿的AWG设计参数 | 第56-58页 |
| 3.4 硅基二氧化硅波导工艺 | 第58-67页 |
| 3.4.1 热氧化工艺 | 第58-59页 |
| 3.4.2 薄膜沉积工艺 | 第59-61页 |
| 3.4.3 接触式光刻工艺 | 第61-62页 |
| 3.4.4 二氧化硅波导刻蚀工艺 | 第62-65页 |
| 3.4.5 二氧化硅工艺流程 | 第65-67页 |
| 3.5 硅基二氧化硅波导测试平台 | 第67-68页 |
| 3.5.1 光路测试系统 | 第67-68页 |
| 3.5.2 硅基二氧化硅波导器件对光平台 | 第68页 |
| 3.6 偏振补偿AWG实验与测试结果分析 | 第68-74页 |
| 3.7 本章小结 | 第74-75页 |
| 4 通道循环阵列波导光栅损耗均匀化特性研究 | 第75-108页 |
| 4.1 引言 | 第75页 |
| 4.2 硅纳米线波导阵列波导光栅的优化设计 | 第75-80页 |
| 4.3 通道循环AWG损耗均匀化设计原理 | 第80-82页 |
| 4.4 损耗均匀化模拟与设计 | 第82-86页 |
| 4.5 SOI硅纳米线波导工艺 | 第86-96页 |
| 4.5.1 SOI基片简介 | 第86-87页 |
| 4.5.2 SOI硅纳米线光刻工艺 | 第87-93页 |
| 4.5.3 SOI硅纳米线的刻蚀工艺 | 第93-95页 |
| 4.5.4 SOI硅纳米线制作工艺流程图 | 第95-96页 |
| 4.6 SOI硅纳米线波导器件对光平台 | 第96-100页 |
| 4.6.1 SOI波导对光的特殊性 | 第96-98页 |
| 4.6.2 端面耦合平台 | 第98-99页 |
| 4.6.3 光栅垂直耦合平台 | 第99-100页 |
| 4.7 损耗均匀化实验与测试结果分析 | 第100-106页 |
| 4.8 本章小结 | 第106-108页 |
| 5 总结与展望 | 第108-111页 |
| 5.1 全文总结 | 第108-109页 |
| 5.1.1 AWG的偏振补偿特性研究 | 第108页 |
| 5.1.2 通道循环AWG损耗均匀化研究 | 第108-109页 |
| 5.2 展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 附录 | 第119-123页 |
| 1. 光纤垂直耦合台机械设计图纸 | 第119-121页 |
| 2. 简易光纤垂直耦合台机械设计图纸 | 第121-123页 |
| 作者简介 | 第123-124页 |
| 个人简介 | 第123页 |
| 主要学术成果 | 第123-124页 |
| 专利 | 第124页 |
