| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 1 引言 | 第8-11页 |
| 1.1 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2 论文研究内容及安排 | 第10-11页 |
| 2 电子有效质量随位置的改变对杂质态基态结合能的影响 | 第11-21页 |
| 2.1 理论模型 | 第11-13页 |
| 2.1.1 有限深势阱模型 | 第11-12页 |
| 2.1.2 电子有效质量随位置变化 | 第12-13页 |
| 2.2 数值计算与讨论 | 第13-21页 |
| 2.2.1 Al_xGa_(1-x)As/GaAs球形量子点杂质态的基态结合能 | 第13-17页 |
| 2.2.2 Al_xGa_(1-x)N/GaN球形量子点杂质态的基态结合能 | 第17-21页 |
| 3 压力和温度对杂质态基态结合能的影响 | 第21-30页 |
| 3.1 物理参数的压力及温度效应 | 第21-23页 |
| 3.1.1 压力作用下物理参数的变化 | 第21-22页 |
| 3.1.2 压力及温度共同作用下物理参数的变化 | 第22-23页 |
| 3.2 数值计算与讨论 | 第23-30页 |
| 3.2.1 压力作用下Al_xGa_(1-x)N/GaN球形量子点的杂质态基态结合能 | 第23-25页 |
| 3.2.2 压力及温度共同作用下,Al_xGa_(1-x)As/GaAs球形量子点杂质态的基态结合能 | 第25-30页 |
| 4 结论 | 第30-31页 |
| 致谢 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-37页 |
| 作者简介 | 第37页 |
