摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 课题研究背景与意义 | 第11-12页 |
1.2 二次电子发射系数测量研究概况、水平和发展趋势 | 第12页 |
1.3 二次电子发射系数测量的主要技术难点 | 第12-15页 |
1.3.1 表面积累电荷泄放 | 第12-13页 |
1.3.2 一次脉冲电子束获得 | 第13-14页 |
1.3.3 二次电子收集 | 第14-15页 |
1.3.4 微弱脉冲电流测量 | 第15页 |
1.4 本论文研究内容与结构安排 | 第15-17页 |
第二章 二次电子发射基础理论 | 第17-25页 |
2.1 二次电子发射物理过程 | 第17-18页 |
2.1.1 一次电子激发产生内二次电子的过程 | 第17-18页 |
2.1.2 内二次电子向表面扩散的过程 | 第18页 |
2.1.3 二次电子从靶材表面逸出 | 第18页 |
2.2 二次电子发射系数定量分析 | 第18-23页 |
2.2.1 低能二次电子发射系数定量分析 | 第19-22页 |
2.2.2 高能二次电子发射系数定量分析 | 第22-23页 |
2.3 本章小结 | 第23-25页 |
第三章 二次电子发射系数测量方案设计 | 第25-42页 |
3.1 绝缘体表面累积电荷的泄放技术方案 | 第25-30页 |
3.1.1 表面积累正电荷的清除方案 | 第26-28页 |
3.1.2 表面积累负电荷的清除方案 | 第28-30页 |
3.2 二次电子收集技术方案 | 第30-32页 |
3.3 一次、二次电子电流信号输出方案 | 第32-36页 |
3.3.1 常规技术方案 | 第32-34页 |
3.3.2 本课题方案 | 第34-36页 |
3.4 脉冲微电流信号测量方案 | 第36-37页 |
3.5 二次电子发射系数测量系统实现 | 第37-41页 |
3.5.1 一次电子束电子光学系统实现 | 第37-38页 |
3.5.2 二次电子收集系统实现 | 第38页 |
3.5.3 采样电极实现 | 第38-39页 |
3.5.4 电源与测量电路实现 | 第39-41页 |
3.6 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 二次电子发射系数测量系统软件设计 | 第42-59页 |
4.1 PCI-25016E采集卡简介 | 第42-47页 |
4.1.1 采集卡工作原理 | 第42-46页 |
4.1.2 采集卡应用程序接口 | 第46-47页 |
4.2 集成开发环境VC++和MFC编程简介 | 第47-48页 |
4.3 软件界面布局与程序框图 | 第48-51页 |
4.3.1 初始化系统与采集参数设置 | 第48-49页 |
4.3.2 k值测量与程序运行流程 | 第49页 |
4.3.3 δ值测量与程序运行流程 | 第49-50页 |
4.3.4 查看k_v关系与程序运行流程 | 第50页 |
4.3.5 查看 δ _v关系与程序运行流程 | 第50-51页 |
4.4 数据实时处理及其编程实现 | 第51-53页 |
4.5 实时波形显示及其编程实现 | 第53-55页 |
4.6 数据保存与读取及其编程实现 | 第55-56页 |
4.7 数据拟合及其编程实现 | 第56-58页 |
4.7.1 k值拟合 | 第57页 |
4.7.2 δ 值拟合 | 第57-58页 |
4.8 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 测量数据与结果分析 | 第59-73页 |
5.1 测量系统工作参数研究 | 第60-68页 |
5.1.1 收集极电压对k值的影响 | 第60-63页 |
5.1.2 电子束流对k值的影响 | 第63-64页 |
5.1.3 k值的稳定性研究 | 第64-65页 |
5.1.4 一次电子枪栅极电压对k值的影响 | 第65页 |
5.1.5 δ与灯丝电流的关系 | 第65-66页 |
5.1.6 δ与一次电子枪栅极电压的关系 | 第66-67页 |
5.1.7 δ 与第一中和枪栅极电压的关系 | 第67页 |
5.1.8 法拉第筒的 δ 值测量 | 第67-68页 |
5.2 测量实例 | 第68-70页 |
5.2.1 测量步骤 | 第69页 |
5.2.2 测量数据与结果分析 | 第69-70页 |
5.3 测量数据拟合处理 | 第70-72页 |
5.4 本章小结 | 第72-73页 |
第六章 结论 | 第73-75页 |
致谢 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-80页 |
附录 1:采集程序相关变量及其含义 | 第80-82页 |
附录 2:采集程序重要代码 | 第82-92页 |
附录 3:matlab拟合代码 | 第92-94页 |